Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 2 (2012) | ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ И СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ ЗОНДОВЫХ АВТОМАТИЧЕСКИХ СИСТЕМ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ МИКРОИ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ НА ПЛАСТИНЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Минченко, Г. Ф. Ковальчук, С. Б. Школык | ||
| "... with automatic sensing of LSI wafer are discussed. ..." | ||
| № 2 (2014) | РЕЖИМ САМОКАЛИБРОВКИ ЗОНДА КЕЛЬВИНА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский | ||
| "... Improvement of repeatability and reliability of semiconductor wafers properties monitoring ..." | ||
| № 2 (2013) | КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer ..." | ||
| Том 14, № 3 (2023) | Универсальный цифровой зондовый электрометр для контроля полупроводниковых пластин | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Жарин, В. А. Микитевич, А. И. Свистун, К. В. Пантелеев | ||
| "... Non-contact electrical methods are widely used for research and control of semiconductor wafers ..." | ||
| Том 9, № 1 (2018) | ОЦЕНКА РАЗМЕРОВ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| "... The effect of non-flatness of semiconductor wafers on characteristics of manufactured devices ..." | ||
| № 1 (2011) | МЕТОД И УСТАНОВКА КОНТРОЛЯ ПЛОСКОСТНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. Н. Петлицкий, В. А. Горушко, С. В. Шведов, В. В. Понарядов | ||
| "... profile of the semiconductor wafers. It was established, that on the basis of determining the inclination ..." | ||
| Том 12, № 3 (2021) | Низкочастотный адмиттанс конденсатора с рабочим веществом «изолятор – частично разупорядоченный полупроводник – изолятор» | Аннотация похожие документы |
| Н. А. Поклонский, И. И. Аникеев, С. А. Вырко | ||
| "... The study of the electrophysical characteristics of crystalline semiconductors with structural ..." | ||
| Том 12, № 1 (2021) | Схема элемента Пельтье на полупроводниках с прыжковым переносом электронов по дефектам | Аннотация похожие документы |
| Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. И. Ковалев, И. И. Аникеев, Н. И. Горбачук | ||
| "... The study of thermoelectric properties of crystalline semiconductors with structural defects ..." | ||
| Том 8, № 4 (2017) | ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА КРЕМНИЙ-ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ ЗОНДОВОЙ ЭЛЕКТРОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, В. А. Филипеня, Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, К. В. Пантелеев, А. И. Свистун, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... of methods for nondestructive testing of semiconductor wafers based on the determination of electrophysical ..." | ||
| Том 9, № 4 (2018) | Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, Г. Г. Чигирь, В. А. Филипеня, В. А. Горушко | ||
| "... The key element determining stability of the semiconductor devices is a gate dielectric. As its ..." | ||
| Том 6, № 2 (2015) | ОЦЕНКА ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ МОЩНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МЕТОДОМ ТЕПЛОВОЙ РЕЛАКСАЦИОННОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ СПЕКТРОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Нисс, О. С. Васьков, А. С. Турцевич, А. Ф. Керенцев, В. К. Кононенко | ||
| "... of the equipment. This leads to the need for a detailed thermal analysis of semiconductor devices. The goal ..." | ||
| Том 9, № 2 (2018) | РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВОГО ДИОДА, СОДЕРЖАЩЕГО В СИММЕТРИЧНОМ p–n-ПЕРЕХОДЕ δ-СЛОЙ ТОЧЕЧНЫХ ТРЕХЗАРЯДНЫХ ДЕФЕКТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский | ||
| "... The study of semiconductor materials and devices containing a narrow layer of impurity atoms ..." | ||
| Том 16, № 4 (2025) | Магнитореологическое полирование поверхностей карбида кремния до ангстремного уровня шероховатости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. М. Холод, А. Л. Худолей, П. С. Гринчук, В. А. Лапицкая | ||
| "... Single-crystal silicon carbide is a promising third-generation semiconductor material. Thanks ..." | ||
| 1 - 13 из 13 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
