Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 2 (2013) | КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer ..." | ||
| № 2 (2013) | КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer ..." | ||
| Том 15, № 2 (2024) | Структура планарной поверхности кремниевых пластин до и после быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский, В. А. Солодуха | ||
| "... silicon wafers' of 30 nm thickness and also the results of the planar surface of raw silicon wafers ..." | ||
| № 1 (2011) | МЕТОД И УСТАНОВКА КОНТРОЛЯ ПЛОСКОСТНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. Н. Петлицкий, В. А. Горушко, С. В. Шведов, В. В. Понарядов | ||
| "... profile of the semiconductor wafers. It was established, that on the basis of determining the inclination ..." | ||
| Том 9, № 4 (2018) | Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, Г. Г. Чигирь, В. А. Филипеня, В. А. Горушко | ||
| "... of the initial silicon wafers and gate dielectric on its reliability. The paper proposes a model for evaluation ..." | ||
| Том 8, № 4 (2017) | ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА КРЕМНИЙ-ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ ЗОНДОВОЙ ЭЛЕКТРОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, В. А. Филипеня, Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, К. В. Пантелеев, А. И. Свистун, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... properties of the silicon-silicon dioxide interface and their spatial distribution over wafer’s surface using ..." | ||
| Том 14, № 3 (2023) | Универсальный цифровой зондовый электрометр для контроля полупроводниковых пластин | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Жарин, В. А. Микитевич, А. И. Свистун, К. В. Пантелеев | ||
| "... Non-contact electrical methods are widely used for research and control of semiconductor wafers ..." | ||
| Том 13, № 4 (2022) | Высокочастотный конденсатор с рабочим веществом «изолятор нелегированный кремний изолятор» | Аннотация похожие документы |
| Н. А. Поклонский, И. И. Аникеев, С. А. Вырко | ||
| "... with the working substance "insulator-undoped silicon-insulator" at different applied to the capacitor direct ..." | ||
| № 1 (2013) | КОМПЛЕКС ДЛЯ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ СУБМИКРОННОЙ ТОПОЛОГИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Чижик, С. П. Басалаев, В. А. Пилипенко, А. Л. Худолей, Т. А. Кузнецова, В. В. Чикунов, А. А. Суслов | ||
| "... SPM 200 realizes nondestructive control of microelectronics elements made on silicon wafers up ..." | ||
| Том 13, № 3 (2022) | Спектральная эллипсометрия как метод изучения влияния быстрой термообработки кремниевых пластин на их оптические характеристики | Аннотация похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко, Д. В. Шестовский | ||
| "... of influence of the rapid thermal treatment of the initial silicon wafers of the various doping level ..." | ||
| Том 6, № 1 (2015) | АНАЛИЗ КАЧЕСТВА ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА МОП-СТРУКТУР ПО ВОЛЬТ-ФАРАДНЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович, В. А. Филипеня, С. В. Шведов, В. В. Черный, В. Ю. Явид, Ю. Н. Янковский | ||
| "... of the wafers in process of the devices fabrication, which makes it possible to make a conclusion about ..." | ||
| Том 16, № 4 (2025) | Магнитореологическое полирование поверхностей карбида кремния до ангстремного уровня шероховатости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. М. Холод, А. Л. Худолей, П. С. Гринчук, В. А. Лапицкая | ||
| "... °C and above and are resistant to radiation. High-precision polishing of silicon carbide wafers ..." | ||
| Том 15, № 4 (2024) | Конвертор поляризации на основе нитрида кремния на изоляторе | Аннотация похожие документы |
| Д. М. Моховиков, Е. С. Барбин, Т. Г. Нестеренко, А. А. Таловская, А. С. Мырзахметов, И. В. Кулинич, П. Ф. Баранов, Д. П. Ильященко | ||
| "... for silicon nitride on insulator-based polarization converters. The proposed approach improves efficiency ..." | ||
| Том 14, № 4 (2023) | Влияние температуры от 20 до 100 °С на удельную поверхностную энергию и вязкость разрушения пластин кремния | Аннотация похожие документы |
| В. А. Лапицкая, Т. А. Кузнецова, С. А. Чижик | ||
| "... and fracture toughness of standard silicon wafers of three orientations (100), (110) and (111) was studied ..." | ||
| Том 9, № 1 (2018) | ОЦЕНКА РАЗМЕРОВ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| "... of topographic defects of semiconductor silicon wafers have been provided. Comparison of the obtained results ..." | ||
| Том 7, № 2 (2016) | ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЛУБОКОСУБМИКРОННОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА СО СТРУКТУРОЙ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация похожие документы |
| А. В. Борздов, В. М. Борздов, Н. Н. Дорожкин | ||
| "... Today submicron silicon-on-insulator (SOI) MOSFET structures are widely used in different ..." | ||
| № 2 (2014) | РЕЖИМ САМОКАЛИБРОВКИ ЗОНДА КЕЛЬВИНА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский | ||
| "... Improvement of repeatability and reliability of semiconductor wafers properties monitoring ..." | ||
| Том 16, № 4 (2025) | Концепция построения интегрального оптического датчика давления | Аннотация похожие документы |
| Е. С. Барбин, П. Ф. Баранов, Д. П. Ильященко, Т. Г. Нестеренко, С. Е. Вторушин, А. А. Таловская | ||
| "... formation of the structures on two silicon on insulator wafers with their consequent bonding. The membrane ..." | ||
| Том 12, № 3 (2021) | Низкочастотный адмиттанс конденсатора с рабочим веществом «изолятор – частично разупорядоченный полупроводник – изолятор» | Аннотация похожие документы |
| Н. А. Поклонский, И. И. Аникеев, С. А. Вырко | ||
| "... of a capacitor with the working substance “insulator–crystalline semiconductor with point t-defects in charge ..." | ||
| Том 10, № 1 (2019) | Моделирование влияния тонкой диэлектрической пленки на поверхности электрода на зажигание разряда в ртутных осветительных лампах при низких температурах окружающей среды | Аннотация похожие документы |
| Г. Г. Бондаренко, М. Р. Фишер, В. И. Кристя, П. Жуковский | ||
| "... substrate of the electrode into the insulator and some of them can overcome the potential barrier ..." | ||
| № 2 (2012) | ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ И СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ ЗОНДОВЫХ АВТОМАТИЧЕСКИХ СИСТЕМ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ МИКРОИ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ НА ПЛАСТИНЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Минченко, Г. Ф. Ковальчук, С. Б. Школык | ||
| "... with automatic sensing of LSI wafer are discussed. ..." | ||
| Том 11, № 3 (2020) | Измерительная установка для исследования и визуализации явления перколяции в неупорядоченных моделях нанокомпозитов металл-диэлектрик | Аннотация похожие документы |
| П. Окаль | ||
| "... нанокомпозитах металл-диэлектрик. Как в первом, так и во втором случаях для протекания электрического тока не ..." | ||
| № 2 (2011) | АНАЛИЗ МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ПОТЕНЦИАЛА ДИЭЛЕКТРИКОВ ПО СХЕМЕ ТОКОВОЙ КОМПЕНСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. К. Тявловский, А. Л. Жарин | ||
| "... . Показано, что для бесконтактных измерений поверхностного потенциала диэлектриков в широком диапазоне ..." | ||
| Том 8, № 4 (2017) | АНАЛИЗ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НАНОКОМПОЗИТНЫХ ПОЛИМЕРОВ МОДИФИЦИРОВАННЫМ ЗОНДОМ КЕЛЬВИНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Пантелеев, А. В. Кравцевич, И. А. Ровба, В. И. Лысенко, Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин | ||
| "... composites. Carbon nanomaterials and nanoparticles of silicon dioxide or aluminum as fillers are used ..." | ||
| Том 15, № 4 (2024) | Тонкоплёночная технология корпусирования микроэлектромеханических систем на основе каркасной структуры | Аннотация похожие документы |
| Е. С. Барбин, И. В. Кулинич, Т. Г. Нестеренко, А. Н. Коледа, Е. В. Шестериков, П. Ф. Баранов, Д. П. Ильященко | ||
| 1 - 25 из 127 результатов | 1 2 3 4 5 6 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
