КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН
Аннотация
Рассмотрено применение метода Кельвина–Зисмана (контактной разности потенциалов) для неразрушающего контроля и выявления дефектов структур кремний-диэлектрик. Метод использовался для визуализации распределения электрического потенциала поверхности и изгиба энергетических зон по поверхности термически окисленной кремниевой пластины, легированной бором. Полученная картина распределения дефектов находится в хорошем согласии с данными о влиянии дефектообразующих факторов. Сопоставление результатов визуализации потенциала поверхности с данными, полученными методом эллипсометрии, показало, что наличие и толщина диэлектрического слоя не оказывают влияния на результаты контроля.
Об авторах
Р. И. Воробей
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
О. К. Гусев
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
А. Л. Жарин
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
А. Н. Петлицкий
«Интеграл» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», г. Минск
Беларусь
Беларусь
В. А. Пилипенко
«Интеграл» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», г. Минск
Беларусь
Беларусь
А. С. Турцевич
«Интеграл» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», г. Минск
Беларусь
Беларусь
А. К. Тявловский
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
К. Л. Тявловский
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Емельянов, В.А. Системы качества в микроэлектронике / В.А. Емельянов. – Минск : Бел. наука, 1997. – 143 с.
2. Горлов, М. И. Технологические отбраковочные и диагностические испытания полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, Д. Л. Ануфриев. – Минск : Бел. наука, 2006. – 367 с.
3. Коледов, Л.А. Технология и конструкция микросхем, микропроцессоров и микросборок / Л.А. Коледов. – СПб. : Лань, 2009. – 400 с.
4. Белоус, А.И. Тестовые структуры в системах управления качеством интегральных микросхем / А.И. Белоус, А.В. Емельянов, Г.Г. Чигирь. – Минск : Интегралполиграф. 2008. – 208 с.
5. Shroeder, D.K. Contactless surface charge semiconductor characterization / D.K. Shroeder // Materials Science and Engineering. – 2002. – № 91–92. – P. 196–210.
6. Zisman, W.A. A new method of measuring contact potential differences in metals / W.A. Zisman // Review Of Scientific Instruments. – 1932. – V. 3. – P. 367.
7. Kronik, L. Surface photovoltage phenomena: theory, experiment, and applications / L. Kronik, Y. Shapira // Surface Science Reports. – 1999. – V. 37. – P. 1–206.
8. Wilson, M.S. New COCOS (Corona Oxide Characterization of Semiconductor) Method for Monitoring the Reliability of Thin Gate Oxides / M.S. Wilson [et al.] // Electrochemical Society Proceedings. – 1999. – V. 99–16. – P. 373–384.
Рецензия
Для цитирования:
Воробей Р.И., Гусев О.К., Жарин А.Л., Петлицкий А.Н., Пилипенко В.А., Турцевич А.С., Тявловский А.К., Тявловский К.Л. КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН. Приборы и методы измерений. 2013;(2):67-72.
For citation:
Vorobey R.I., Gusev O.K., Zharin A.L., Petlitsky A.N., Pilipenko V.A., Turtsevitch A.S., Tyavlovsky A.K., Tyavlovsky K.L. STUDY OF SILICON-INSULATOR STRUCTURE DEFECTS BASED ON ANALYSIS OF A SPATIAL DISTRIBUTION OF A SEMICONDUCTOR WAFERS’ SURFACE POTENTIAL. Devices and Methods of Measurements. 2013;(2):67-72. (In Russ.)
Просмотров:
1963
Послать статью по эл. почте 