АНАЛИЗ КАЧЕСТВА ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА МОП-СТРУКТУР ПО ВОЛЬТ-ФАРАДНЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ
Аннотация
Исследованы МОП-транзисторы методом вольт-фарадных характеристик, изготовленных в разное время, но по аналогичным технологическим маршрутам и при использовании идентичных технологических материалов. Установлено, что измерения вольтфарадных характеристик МОП-структур позволяют проводить диагностику качества подзатворного диэлектрика. Вид и форма измеренных характеристик определяются величиной дополнительного положительного заряда в объеме диэлектрика и плотностью быстрых поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2, которые коррелируют с поверхностной концентрацией технологических примесей, адсорбированных на поверхности пластин в процессе изготовления приборов, что позволяет сделать заключение о качестве используемых материалов и соблюдении технологических режимов.
Об авторах
В. Б. Оджаев
Белорусский государственный университет
Беларусь
Беларусь
А. Н. Петлицкий
ИНТЕГРАЛ – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
Беларусь
Беларусь
В. С. Просолович
Белорусский государственный университет
Беларусь
Беларусь
В. А. Филипеня
ИНТЕГРАЛ – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
Беларусь
Беларусь
С. В. Шведов
ИНТЕГРАЛ – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
Беларусь
Беларусь
В. В. Черный
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
В. Ю. Явид
Белорусский государственный университет
Беларусь
Беларусь
Ю. Н. Янковский
Белорусский государственный университет
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Оджаев, В.Б. Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора / В.Б. Оджаев [и др.] // Весці НАНБ Сер. фіз.-тэх. навук. − 2014. − № 4. − С. 14−17.
2. SEMI M33-0988.
3. Berneike, W. Surface analysis for Si-Wafers using total reflection X-ray fluorescence analysis / W. Berneike [et al.] // Fresenius’Z. Anal. Chem. − 1989. − Vol. 333. − Р. 524−526.
4. Choi, B.D. Degradation of ultrathin oxides by iron contamination / B.D. Choi, D.K. Schroder // Applied physics letters. − 2001. − Vol. 79, no 16. − P. 2645−2647.
Рецензия
Для цитирования:
Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Филипеня В.А., Шведов С.В., Черный В.В., Явид В.Ю., Янковский Ю.Н. АНАЛИЗ КАЧЕСТВА ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА МОП-СТРУКТУР ПО ВОЛЬТ-ФАРАДНЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ. Приборы и методы измерений. 2015;6(1):94-98.
For citation:
Odzhaev V.B., Pyatlitski A.N., Prosolovich V.S., Filipenya V.A., Shvedau S.V., Chernyi V.V., Yavid V.Yu., Yankouski Yu.N. QUALITY ANALYSIS OF THE GATE DIELECTRIC OF THE MOS-STRUCTURES BY CAPACITY-VOLTAGE CHARACTERISTICS. Devices and Methods of Measurements. 2015;6(1):94-98. (In Russ.)
Просмотров:
1907
Послать статью по эл. почте 