МЕТОД И УСТАНОВКА КОНТРОЛЯ ПЛОСКОСТНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН
Аннотация
Предложен метод и разработана установка лазерного контроля стрелы прогиба и профиля изгиба полупроводниковых пластин. Метод основан на регистрации отклонения отраженного лазерного луча от положения, соответствующего отражению от идеально плоской поверхности. Установлено, что по результатам определения угла наклона касательной в любой точке поверхности, определяемой путем сканирования полупроводниковой пластины лазерным лучом, возможно определение ее профиля изгиба.
Об авторах
В. А. Пилипенко
«Интеграл», г. Минск
Беларусь
Беларусь
А. Н. Петлицкий
«Интеграл», г. Минск
Беларусь
Беларусь
В. А. Горушко
«Интеграл», г. Минск
Беларусь
Беларусь
С. В. Шведов
«Интеграл», г. Минск
Беларусь
Беларусь
В. В. Понарядов
Белорусский государственный университет
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Пилипенко, В.А. Лазерный метод контроля профиля изгиба кремниевых пластин / В.А. Пилипенко [и др.] // Материалы 28-ой Международной конференции «Композиционные материалы в промышленности. – Ялта. – 2008. – С. 354.
Рецензия
Для цитирования:
Пилипенко В.А., Петлицкий А.Н., Горушко В.А., Шведов С.В., Понарядов В.В. МЕТОД И УСТАНОВКА КОНТРОЛЯ ПЛОСКОСТНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН. Приборы и методы измерений. 2011;(1):71-76.
For citation:
Pilipenko V.A., Petlitsky A.N., Gorushko V.A., Shvedov S.V., Ponaryadov V.V. METHOD AND CONTROL SET-UP OF SILICON WAFER FLATNESS. Devices and Methods of Measurements. 2011;(1):71-76. (In Russ.)
Просмотров:
1848
Послать статью по эл. почте 