Preview

Приборы и методы измерений

Расширенный поиск

Приборный ряд фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью

https://doi.org/10.21122/2220-9506-2021-12-2-108-116

Полный текст:

Аннотация

Одним из способов решения многообразных задач оптической диагностики является использование фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью, слабо легированных глубокими примесями, формирующими несколько уровней с разными зарядовыми состояниями в запрещённой зоне. Особенности физических процессов перезарядки этих уровней позволяют создавать фотоприёмники с различными функциональными возможностями на основе ряда простых приборных структур.

Целью работы является анализ особенностей преобразовательных характеристик одноэлементных фотоэлектрических преобразователей на базе полупроводников с собственной фотопроводимостью, систематизация их свойств, и представление структур, представленных ФЭП в виде приборного ряда фотоэлектрических преобразователей для применения в измерительных преобразователях систем оптической диагностики.

На основе анализа особенностей преобразовательных характеристик одноэлементных фотоэлектрических преобразователей на базе полупроводников с собственной фотопроводимостью и требований к их конструкции разработан приборный ряд фотоэлектрических преобразователей для применения в измерительных преобразователях систем оптической диагностики. Показана возможность построения функциональных измерительных преобразователей для многопараметрических измерений оптических сигналов.

Об авторах

Р. И. Воробей
Белорусский национальный технический университет
Беларусь

пр-т Независимости, 65, г. Минск 220013



О. К. Гусев
Белорусский национальный технический университет
Беларусь

пр-т Независимости, 65, г. Минск 220013



А. Л. Жарин
Белорусский национальный технический университет
Беларусь

пр-т Независимости, 65, г. Минск 220013



К. В. Пантелеев
Белорусский национальный технический университет
Беларусь

пр-т Независимости, 65, г. Минск 220013



А. И. Свистун
Белорусский национальный технический университет
Беларусь

пр-т Независимости, 65, г. Минск 220013



А. К. Тявловский
Белорусский национальный технический университет
Беларусь

пр-т Независимости, 65, г. Минск 220013



К. Л. Тявловский
Белорусский национальный технический университет
Беларусь

Адрес для переписки: Тявловский К.Л. – Белорусский национальный технический университет, пр-т Независимости, 65, г. Минск 220013, Беларусь

e-mail: tyavlovsky @bntu.by



Л. И. Шадурская
Белорусский национальный технический университет
Беларусь

пр-т Независимости, 65, г. Минск 220013



Список литературы

1. Lysenko S.A. Metody opticheskoj diagnostiki biologicheskikh ob"ektov [Methods for Optical Diagnostics of Biological Objects]. Minsk: BGU Publ., 2014, 231 p.

2. Filachev A.M., Taubkin I.I., Trishenkov M.A. Fotopriemniki v optiko-ehlektronnykh priborakh i sistemakh [Photodetectors in Optoelectronic Devices and Systems]. Moscow: Fizmatkniga Publ., 2016, 104 p.

3. Formozov B.N. Аehrokosmicheskie fotopriemnye ustrojstva v vidimom i infrakrasnom diapazonakh [Aerospace Photodetectors in the Visible and Infrared Ranges]. St. Petersburg: SPbGUAP Publ., 2002, 120 p.

4. Gusev O.K., Vorobey R.I., Zharin A.L., Svistun A.I., Tyavlovsky A.K., Tyavlovsky K.L. Metodologiya i sredstva izmerenij parametrov ob"ektov s neopredelennymi sostoyaniyami [Methodology and Tools for Measuring Parameters of Objects in Uncertain States], ed. O.K. Gusev. Minsk: BNTU Publ., 2010, 582 p.

5. Vorobey R.I., Gusev O.K., Tyavlovsky A.K., Tyavlovsky K.L., Svistun A.I., Shadurskaya L.I., Yarzhembitskaya N.V., Kierczynski K. Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range. Przeglad electrotechniczny, 2014, no. 5, pp. 5‒78. DOI: 10.12915/pe.2014.05.16

6. Bondar I.V., Rud V.Yu., Rud Yu.V. [Photovoltaic Effects in Cu(Al, In) /p-CuIn3Se5 Schottky Barriers]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductor Physics and Technology], 2007, vol. 41, no. 1, pp. 44– 47 (in Russian).

7. Yashin A.N. [Applicability of the simplified Shockley-Reed-Hall model for semiconductors with various types of defects].. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductor Physics and Technology], 2005, vol. 39, no. 11, pp. 1331‒1335. (in Russian).

8. Masol I.V., Osinsky V.I., Sergeev O.T. Informatsionnye nanotekhnologii [Informational Nanotechology]. Kiev: Makros Publ., 2011, 560 p.

9. Gusev O.K., Tyavlovsky K.L., Vorobey R.I., Svistun A.I., Shadurskaya L.I. [Intrinsic SemiconductorBased Photodetectors for Measurement Transducers Construction]. Metrologiya i priborostroyeniye [Metrology and Instrument Engineering], 2017, no. 2, pp. 34– 42 (in Russian).

10. Andreou A.G., Kalayjian Z.K., Apsel A., Pouliquen P.O., Athale R.A., Simonis G., Reedy R. Silicon on sapphire CMOS for optoelectronic microsystems. Circuits and Systems, 2001, vol. 1, pp. 22‒30. DOI: 10.1109/7384.963464

11. Kozlov Yu.F., Zotov V.V. Struktury kremniya na sapfire: tekhnologiya, svojstva, metody kontrolya, primenenie [Silicon on Sapphire structures: Technology, Properties, Methods of Control, Applications]. Moscow: MIET Publ., 2004, 380 p.

12. Vityaz P.A., Svidunovich N.A., Kuis D.V. Nanomaterialovedenie [Nanomaterials Science]. Minsk: Vysheyshaya Shkola Publ., 2015, 511 p.

13. Wado H., Ohtani K., Ishida M. Epitaxial growth of SiGe on Al2O3 using Si2H6 gas and Ge solid source molecular beam epitaxy. J.Crystl.Growth, 1996, vol. 169, pp. 457‒462. DOI: 10.1016/S0022-0248(97)80004-8

14. Khudaverdyan S.Kh. Photo-detecting characteristics of double barrier structures. Nuclear Inst. and Methods in Physics Research A., 2003, vol. 504, iss. 1‒3, pp. 350‒353. DOI: 10.1016/S0168-9002(03)00768-X


Для цитирования:


Воробей Р.И., Гусев О.К., Жарин А.Л., Пантелеев К.В., Свистун А.И., Тявловский А.К., Тявловский К.Л., Шадурская Л.И. Приборный ряд фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью. Приборы и методы измерений. 2021;12(2):108-116. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2021-12-2-108-116

For citation:


Vorobey R.I., Gusev O.K., Zharin A.L., Pantsialeyeu K.U., Svistun A.I., Tyavlovsky A.K., Tyavlovsky K.L., Shadurskaya L.I. Series of Photovoltaic Converters Based on Semiconductors with Intrinsic Photoconductivity. Devices and Methods of Measurements. 2021;12(2):108-116. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2021-12-2-108-116

Просмотров: 222


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2220-9506 (Print)
ISSN 2414-0473 (Online)