Preview

Приборы и методы измерений

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 12, № 3 (2021) Низкочастотный адмиттанс конденсатора с рабочим веществом «изолятор – частично разупорядоченный полупроводник – изолятор» Аннотация  похожие документы
Н. А. Поклонский, И. И. Аникеев, С. А. Вырко
"... were calculated at the t-defect concentration of 3∙1019 cm−3 for temperatures of 250, 300, and 350 ..."
 
Том 12, № 1 (2021) Схема элемента Пельтье на полупроводниках с прыжковым переносом электронов по дефектам Аннотация  похожие документы
Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. И. Ковалев, И. И. Аникеев, Н. И. Горбачук
"... The study of thermoelectric properties of crystalline semiconductors with structural defects ..."
 
Том 9, № 2 (2018) РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВОГО ДИОДА, СОДЕРЖАЩЕГО В СИММЕТРИЧНОМ p–n-ПЕРЕХОДЕ δ-СЛОЙ ТОЧЕЧНЫХ ТРЕХЗАРЯДНЫХ ДЕФЕКТОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский
"... and/or intrinsic point defects of the crystal lattice is of fundamental and practical interest. The aim ..."
 
Том 8, № 4 (2017) ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА КРЕМНИЙ-ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ ЗОНДОВОЙ ЭЛЕКТРОМЕТРИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, В. А. Филипеня, Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, К. В. Пантелеев, А. И. Свистун, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский
"... defects. ..."
 
Том 10, № 1 (2019) Устройство контроля качества токопроводящих покрытий элементов ракетно-космической техники Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Б. B. Скворцов, А. С. Самсонов, С. А. Борминский, Д. М. Живоносновская
"... defects. The basic technical requirements for the device were formed and the required minimum size ..."
 
№ 2 (2014) РЕЖИМ САМОКАЛИБРОВКИ ЗОНДА КЕЛЬВИНА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский
"... of semiconductor wafer defects. Method can be used to define defects’ physical properties including minority ..."
 
№ 1 (2012) МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИСТАНЦИОННОЙ ЗАВИСИМОСТИ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ СКАНИРУЮЩЕГО ЗОНДА КЕЛЬВИНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. К. Тявловский
"... is proposed considering the case of an infinite plane sample's surface with local defects represented by dot ..."
 
Том 6, № 2 (2015) ОЦЕНКА ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ МОЩНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МЕТОДОМ ТЕПЛОВОЙ РЕЛАКСАЦИОННОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ СПЕКТРОМЕТРИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Нисс, О. С. Васьков, А. С. Турцевич, А. Ф. Керенцев, В. К. Кононенко
"... resistance increases due to changes in the mechanism of heat transfer. Defects in this area in the form ..."
 
1 - 8 из 8 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)