Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 1 (2013) | КОМПЛЕКС ДЛЯ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ СУБМИКРОННОЙ ТОПОЛОГИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Чижик, С. П. Басалаев, В. А. Пилипенко, А. Л. Худолей, Т. А. Кузнецова, В. В. Чикунов, А. А. Суслов | ||
| "... SPM 200 realizes nondestructive control of microelectronics elements made on silicon wafers up ..." | ||
| Том 7, № 2 (2016) | ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЛУБОКОСУБМИКРОННОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА СО СТРУКТУРОЙ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация похожие документы |
| А. В. Борздов, В. М. Борздов, Н. Н. Дорожкин | ||
| "... Today submicron silicon-on-insulator (SOI) MOSFET structures are widely used in different ..." | ||
| Том 8, № 4 (2017) | ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА КРЕМНИЙ-ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ ЗОНДОВОЙ ЭЛЕКТРОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, В. А. Филипеня, Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, К. В. Пантелеев, А. И. Свистун, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... Introduction of submicron design standards into microelectronic industry and a decrease ..." | ||
| Том 14, № 3 (2023) | Применение преобразования Хафа для контроля дисперсности накладывающихся частиц и их агломератов | Аннотация похожие документы |
| П. В. Гуляев | ||
| Том 7, № 1 (2016) | СКЛЕРОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ МИКРОТВЕРДОСТИ ПЛЕНОК ФОТОРЕЗИСТА НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, Ю. Н. Янковский, С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, В. Е. Гайшун | ||
| "... applied on plates of single-crystal silicon. As an example films of positive diazoquinonenovolak ..." | ||
| № 1 (2014) | КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ С ЭФФЕКТИВНОЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИЕЙ НА ДИСЛОКАЦИЯХ Мудрый А.В.1, Живулько В.Д.1, Мофиднахаи Ф.1, Ивлев Г.Д.2, Якушев М. | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мудрый, В. Д. Живулько, Ф. Мофиднахаи, Г. Д. Ивлев, М. В. Якушев, Р. В. Мартин, А. В. Двуреченский, В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, П. А. Кучинская | ||
| № 1 (2011) | МЕТОД И УСТАНОВКА КОНТРОЛЯ ПЛОСКОСТНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. Н. Петлицкий, В. А. Горушко, С. В. Шведов, В. В. Понарядов | ||
| Том 9, № 1 (2018) | ОЦЕНКА РАЗМЕРОВ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| "... of topographic defects of semiconductor silicon wafers have been provided. Comparison of the obtained results ..." | ||
| Том 9, № 3 (2018) | Измерение локальных остаточных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| Том 15, № 4 (2024) | Конвертор поляризации на основе нитрида кремния на изоляторе | Аннотация похожие документы |
| Д. М. Моховиков, Е. С. Барбин, Т. Г. Нестеренко, А. А. Таловская, А. С. Мырзахметов, И. В. Кулинич, П. Ф. Баранов, Д. П. Ильященко | ||
| "... a design method and fabrication technology for polarization converters based on silicon nitride ..." | ||
| Том 13, № 4 (2022) | Высокочастотный конденсатор с рабочим веществом «изолятор нелегированный кремний изолятор» | Аннотация похожие документы |
| Н. А. Поклонский, И. И. Аникеев, С. А. Вырко | ||
| "... with the working substance "insulator-undoped silicon-insulator" at different applied to the capacitor direct ..." | ||
| № 1 (2012) | КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мудрый, Ф. Мофиднахаи, А. В. Короткий, А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Володин, П. Л. Новиков | ||
| Том 15, № 2 (2024) | Структура планарной поверхности кремниевых пластин до и после быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский, В. А. Солодуха | ||
| "... of silicon crystal lattice state in surface layer of 30 nm thickness before and after rapid thermal treatment ..." | ||
| Том 16, № 1 (2025) | Отражательно-абсорбционная ИК Фурье-спектроскопия фоторезистивных плёнок на кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. И. Бринкевич, Е. В. Гринюк, В. С. Просолович, С. Д. Бринкевич, В. В. Колос, О. А. Зубова | ||
| "... silicon by centrifugation has been carried out. In the reflective absorption IR spectra absorption bands ..." | ||
| № 2 (2012) | СРЕДСТВА РЕГИСТРАЦИИ ИМПУЛЬСНОГО ВИДИМОГО ИЗЛУЧЕНИЯ МАЛОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ. ЧАСТЬ 1. ОСОБЕННОСТИ И ВОЗМОЖНОСТИ МНОГОКАНАЛЬНЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ С ВНУТРЕННИМ УСИЛЕНИЕМ. ОБЗОР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов | ||
| "... . It is offered to use silicon photomultipliers for production of multi-channel optoelectronic systems ..." | ||
| Том 14, № 4 (2023) | Влияние температуры от 20 до 100 °С на удельную поверхностную энергию и вязкость разрушения пластин кремния | Аннотация похожие документы |
| В. А. Лапицкая, Т. А. Кузнецова, С. А. Чижик | ||
| "... and fracture toughness of standard silicon wafers of three orientations (100), (110) and (111) was studied ..." | ||
| Том 13, № 3 (2022) | Спектральная эллипсометрия как метод изучения влияния быстрой термообработки кремниевых пластин на их оптические характеристики | Аннотация похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко, Д. В. Шестовский | ||
| "... One of the possible ways of improvement of the surface properties of silicon is the solid phase ..." | ||
| № 1 (2013) | СРЕДСТВА РЕГИСТРАЦИИ ИМПУЛЬСНОГО ВИДИМОГО ИЗЛУЧЕНИЯ МАЛОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ. Часть 2. ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ОБРАБОТКА СИГНАЛОВ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ. ОБЗОР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов | ||
| "... Bias circuits, output signals and readout electronics of silicon photomultipliers are considered ..." | ||
| № 2 (2013) | КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer ..." | ||
| № 2 (2013) | КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer ..." | ||
| Том 10, № 4 (2019) | Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Горбачук, Н. А. Поклонский, Я. Н. Марочкина, С. В. Шпаковский | ||
| "... of elements of silicon based integrated circuits with an impedance of inductive type. ..." | ||
| Том 9, № 2 (2018) | РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВОГО ДИОДА, СОДЕРЖАЩЕГО В СИММЕТРИЧНОМ p–n-ПЕРЕХОДЕ δ-СЛОЙ ТОЧЕЧНЫХ ТРЕХЗАРЯДНЫХ ДЕФЕКТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский | ||
| "... of the study is to calculate the electric parameters of a symmetric silicon diode, in the flat p–n-junction ..." | ||
| Том 14, № 1 (2023) | Импеданс индуктивного типа барьерных структур Mo/n-Si, облучённых альфа-частицами | Аннотация похожие документы |
| Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, К. В. Усенко, Е. А. Ермакова, Н. И. Горбачук, С. Б. Ластовский | ||
| "... In silicon microelectronics, flat metal spirals are formed to create an integrated inductance ..." | ||
| Том 10, № 3 (2019) | Моделирование распределенного измерителя силы тока на основе деформации оптического волокна | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. П. Янукович, А. В. Поляков | ||
| "... . To provide the measurement optical fiber with conductive coating is used. Between the current bus, where ..." | ||
| Том 8, № 3 (2017) | ЗАВИСИМОСТЬ СИГНАЛА ГИГАНТСКОГО КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА ОТ ФОРМЫ СЕРЕБРЯНЫХ НАНОСТРУКТУР, ВЫРАЩЕННЫХ В ПОРАХ SiO2 /n-Si-ШАБЛОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Якимчук, Е. Ю. Канюков, С. Е. Демьянов, В. Д. Бундюкова, А. В. Дейнак, И. И. Макоед, Г. М. Арзуманян, Н. В. Дорошкевич, К. З. Маматкулов, В. Сиваков | ||
| "... nanostructures were synthesized in silicon dioxide pores on monocrystalline silicon n-type substrate. The pores ..." | ||
| 1 - 25 из 51 результатов | 1 2 3 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
