Сортировать по:
Выпуск | Название | |
Том 9, № 4 (2018) | Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, Г. Г. Чигирь, В. А. Филипеня, В. А. Горушко | ||
"... of the initial silicon wafers and gate dielectric on its reliability. The paper proposes a model for evaluation ..." | ||
Том 6, № 1 (2015) | АНАЛИЗ КАЧЕСТВА ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА МОП-СТРУКТУР ПО ВОЛЬТ-ФАРАДНЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович, В. А. Филипеня, С. В. Шведов, В. В. Черный, В. Ю. Явид, Ю. Н. Янковский | ||
"... of the gate dielectric. The kind and shape of the measured characteristics are determined by the value ..." | ||
Том 8, № 4 (2017) | ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА КРЕМНИЙ-ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ ЗОНДОВОЙ ЭЛЕКТРОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, В. А. Филипеня, Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, К. В. Пантелеев, А. И. Свистун, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
"... of the gate dielectric thickness raise the importance of the analysis of microinhomogeneities in the silicon ..." | ||
Том 14, № 3 (2023) | Универсальный цифровой зондовый электрометр для контроля полупроводниковых пластин | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Л. Жарин, В. А. Микитевич, А. И. Свистун, К. В. Пантелеев | ||
"... Non-contact electrical methods are widely used for research and control of semiconductor wafers ..." | ||
Том 15, № 2 (2024) | Структура планарной поверхности кремниевых пластин до и после быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Пилипенко, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский, В. А. Солодуха | ||
"... Presently it is important to remove mechanically disturbed layer on wafer surface during creation ..." | ||
№ 2 (2011) | АНАЛИЗ МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ПОТЕНЦИАЛА ДИЭЛЕКТРИКОВ ПО СХЕМЕ ТОКОВОЙ КОМПЕНСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. К. Тявловский, А. Л. Жарин | ||
"... is held. Regarding contactless measurement of dielectrics' surface potential in a wide range of meanings ..." | ||
№ 2 (2013) | КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
"... of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer ..." | ||
№ 2 (2013) | КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
"... of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer ..." | ||
Том 8, № 1 (2017) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ ПЛОСКОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ МЕТОДОМ ИЗМЕРЕНИЯ ИНТЕНСИВНОСТЕЙ ПРОХОДЯЩИХ ПУЧКОВ | Аннотация похожие документы |
В. М. Сердюк, И. А. Титовицкий | ||
"... technique for a homogeneous transparent plane dielectric layer. It uses intensity measurements for two ..." | ||
Том 11, № 3 (2020) | Измерительная установка для исследования и визуализации явления перколяции в неупорядоченных моделях нанокомпозитов металл-диэлектрик | Аннотация похожие документы |
П. Окаль | ||
"... to the quantum tunneling phenomenon observed in metal-dielectric nanocomposites. In both cases the flow ..." | ||
Том 15, № 4 (2024) | Тонкоплёночная технология корпусирования микроэлектромеханических систем на основе каркасной структуры | Аннотация похожие документы |
Е. С. Барбин, И. В. Кулинич, Т. Г. Нестеренко, А. Н. Коледа, Е. В. Шестериков, П. Ф. Баранов, Д. П. Ильященко | ||
"... and dielectric films. The work presents a new inter-plate MEMS packaging based on a frame structure ..." | ||
№ 2 (2012) | ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ И СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ ЗОНДОВЫХ АВТОМАТИЧЕСКИХ СИСТЕМ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ МИКРОИ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ НА ПЛАСТИНЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Минченко, Г. Ф. Ковальчук, С. Б. Школык | ||
"... with automatic sensing of LSI wafer are discussed. ..." | ||
№ 1 (2011) | МЕТОД И УСТАНОВКА КОНТРОЛЯ ПЛОСКОСТНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Пилипенко, А. Н. Петлицкий, В. А. Горушко, С. В. Шведов, В. В. Понарядов | ||
"... profile of the semiconductor wafers. It was established, that on the basis of determining the inclination ..." | ||
Том 14, № 4 (2023) | Влияние температуры от 20 до 100 °С на удельную поверхностную энергию и вязкость разрушения пластин кремния | Аннотация похожие документы |
В. А. Лапицкая, Т. А. Кузнецова, С. А. Чижик | ||
"... and fracture toughness of standard silicon wafers of three orientations (100), (110) and (111) was studied ..." | ||
№ 2 (2014) | РЕЖИМ САМОКАЛИБРОВКИ ЗОНДА КЕЛЬВИНА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский | ||
"... Improvement of repeatability and reliability of semiconductor wafers properties monitoring ..." | ||
Том 11, № 1 (2020) | Математическая модель сенсора с открытой областью пространства | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Джежора, Ю. А. Завацкий, А. В. Коваленко, А. М. Науменко | ||
"... For the effective use of dielectric sensors, optimization of the design parameters of the sensors ..." | ||
Том 13, № 3 (2022) | Спектральная эллипсометрия как метод изучения влияния быстрой термообработки кремниевых пластин на их оптические характеристики | Аннотация похожие документы |
В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко, Д. В. Шестовский | ||
"... of influence of the rapid thermal treatment of the initial silicon wafers of the various doping level ..." | ||
№ 1 (2013) | КОМПЛЕКС ДЛЯ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ СУБМИКРОННОЙ ТОПОЛОГИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. А. Чижик, С. П. Басалаев, В. А. Пилипенко, А. Л. Худолей, Т. А. Кузнецова, В. В. Чикунов, А. А. Суслов | ||
"... SPM 200 realizes nondestructive control of microelectronics elements made on silicon wafers up ..." | ||
Том 9, № 1 (2018) | ОЦЕНКА РАЗМЕРОВ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Ф. Сенько, В. А. Зеленин | ||
"... The effect of non-flatness of semiconductor wafers on characteristics of manufactured devices ..." | ||
№ 2 (2011) | ПРИНЦИПЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ НАКЛАДНЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ В ПРИСУТСТВИИ ЗАЗЕМЛЕННОЙ ПЛОСКОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Джежора, А. И. Кузьмич, Е. И. Радевич, В. В. Рубаник | ||
"... , sensitivity to anisotropy of dielectric properties is given. Qualitative principles of designing are described ..." | ||
№ 1 (2013) | ЭКСПРЕСС-МЕТОДИКА БЕСКОНТАКТНОГО ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НЕБОЛЬШИХ ОБРАЗЦОВ НА СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. А. Поклонский, А. И. Сягло, В. Т. Шнитко, В. А. Меркулов, М. О. Давиденя, А. И. Ковалев | ||
"... with the sample being inside the resonator with respect to the dielectric permittivity and conductivity of sample ..." | ||
№ 1 (2012) | ДВУХПАРАМЕТРОВЫЙ ДАТЧИК УРОВНЯ ЖИДКОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Джежора, В. В. Рубаник | ||
"... of dielectric properties of a liquid the length of an internal electrode differs from length of two external ..." | ||
Том 8, № 4 (2017) | АНАЛИЗ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НАНОКОМПОЗИТНЫХ ПОЛИМЕРОВ МОДИФИЦИРОВАННЫМ ЗОНДОМ КЕЛЬВИНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. В. Пантелеев, А. В. Кравцевич, И. А. Ровба, В. И. Лысенко, Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин | ||
"... электростатического потенциала поверхности. В случае диэлектриков анализ однородности электропотенциального профиля не ..." | ||
Том 9, № 1 (2018) | ОБОБЩЕННАЯ МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПРОЦЕССОВ КАЛИБРОВКИ И НЕПОСРЕДСТВЕННОГО ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ МНОГОПОЛЮСНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. B. Гусинский | ||
"... to measure the parameters of complex microwave devices made on boards (wafer), with probe transitions ..." | ||
Том 10, № 1 (2019) | Моделирование влияния тонкой диэлектрической пленки на поверхности электрода на зажигание разряда в ртутных осветительных лампах при низких температурах окружающей среды | Аннотация похожие документы |
Г. Г. Бондаренко, М. Р. Фишер, В. И. Кристя, П. Жуковский | ||
"... подложки электрода в диэлектрик, часть из которых может преодолевать потенциальный барьер на внешней ..." | ||
1 - 25 из 31 результатов | 1 2 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)