Preview

Приборы и методы измерений

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Поклонский Н.А., Ковалев А.И., Горбачук Н.И., Шпаковский С.В. РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВОГО ДИОДА, СОДЕРЖАЩЕГО В СИММЕТРИЧНОМ p–n-ПЕРЕХОДЕ δ-СЛОЙ ТОЧЕЧНЫХ ТРЕХЗАРЯДНЫХ ДЕФЕКТОВ. Приборы и методы измерений. 2018;9(2):130-141. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2018-9-2-130-141

For citation:


Poklonski N.A., Kovalev A.I., Gorbachuk N.I., Shpakovski S.V. CALCULATION OF STATIC PARAMETERS OF SILICON DIODE CONTAINING δ-LAYER OF TRIPLE-CHARGED POINT DEFECTS IN SYMMETRIC p–n-JUNCTION. Devices and Methods of Measurements. 2018;9(2):130-141. (In Russ.) https://doi.org/10.21122/2220-9506-2018-9-2-130-141

Просмотров: 220


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2220-9506 (Print)
ISSN 2414-0473 (Online)