Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 8, № 4 (2017) | ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА КРЕМНИЙ-ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ ЗОНДОВОЙ ЭЛЕКТРОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, В. А. Филипеня, Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, К. В. Пантелеев, А. И. Свистун, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... silicon wafers of KEF 4.5 and KDB 12 type (orientation <100>, diameter 100 mm). Probe electrometry ..." | ||
| Том 14, № 4 (2023) | Влияние температуры от 20 до 100 °С на удельную поверхностную энергию и вязкость разрушения пластин кремния | Аннотация похожие документы |
| В. А. Лапицкая, Т. А. Кузнецова, С. А. Чижик | ||
| "... and fracture toughness of standard silicon wafers of three orientations (100), (110) and (111) was studied ..." | ||
| № 2 (2013) | КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer ..." | ||
| № 2 (2013) | КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer ..." | ||
| Том 15, № 2 (2024) | Структура планарной поверхности кремниевых пластин до и после быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский, В. А. Солодуха | ||
| "... silicon wafers' of 30 nm thickness and also the results of the planar surface of raw silicon wafers ..." | ||
| Том 13, № 3 (2022) | Спектральная эллипсометрия как метод изучения влияния быстрой термообработки кремниевых пластин на их оптические характеристики | Аннотация похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко, Д. В. Шестовский | ||
| "... of influence of the rapid thermal treatment of the initial silicon wafers of the various doping level ..." | ||
| № 1 (2011) | МЕТОД И УСТАНОВКА КОНТРОЛЯ ПЛОСКОСТНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. Н. Петлицкий, В. А. Горушко, С. В. Шведов, В. В. Понарядов | ||
| "... profile of the semiconductor wafers. It was established, that on the basis of determining the inclination ..." | ||
| Том 7, № 1 (2016) | СКЛЕРОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ МИКРОТВЕРДОСТИ ПЛЕНОК ФОТОРЕЗИСТА НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, Ю. Н. Янковский, С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, В. Е. Гайшун | ||
| "... applied on plates of single-crystal silicon. As an example films of positive diazoquinonenovolak ..." | ||
| № 1 (2013) | КОМПЛЕКС ДЛЯ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ СУБМИКРОННОЙ ТОПОЛОГИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Чижик, С. П. Басалаев, В. А. Пилипенко, А. Л. Худолей, Т. А. Кузнецова, В. В. Чикунов, А. А. Суслов | ||
| "... SPM 200 realizes nondestructive control of microelectronics elements made on silicon wafers up ..." | ||
| Том 15, № 4 (2024) | Конвертор поляризации на основе нитрида кремния на изоляторе | Аннотация похожие документы |
| Д. М. Моховиков, Е. С. Барбин, Т. Г. Нестеренко, А. А. Таловская, А. С. Мырзахметов, И. В. Кулинич, П. Ф. Баранов, Д. П. Ильященко | ||
| "... a design method and fabrication technology for polarization converters based on silicon nitride ..." | ||
| Том 13, № 4 (2022) | Высокочастотный конденсатор с рабочим веществом «изолятор нелегированный кремний изолятор» | Аннотация похожие документы |
| Н. А. Поклонский, И. И. Аникеев, С. А. Вырко | ||
| "... with the working substance "insulator-undoped silicon-insulator" at different applied to the capacitor direct ..." | ||
| № 1 (2012) | КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мудрый, Ф. Мофиднахаи, А. В. Короткий, А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Володин, П. Л. Новиков | ||
| Том 16, № 1 (2025) | Отражательно-абсорбционная ИК Фурье-спектроскопия фоторезистивных плёнок на кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. И. Бринкевич, Е. В. Гринюк, В. С. Просолович, С. Д. Бринкевич, В. В. Колос, О. А. Зубова | ||
| "... silicon by centrifugation has been carried out. In the reflective absorption IR spectra absorption bands ..." | ||
| Том 7, № 2 (2016) | ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЛУБОКОСУБМИКРОННОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА СО СТРУКТУРОЙ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация похожие документы |
| А. В. Борздов, В. М. Борздов, Н. Н. Дорожкин | ||
| "... Today submicron silicon-on-insulator (SOI) MOSFET structures are widely used in different ..." | ||
| Том 9, № 1 (2018) | ОЦЕНКА РАЗМЕРОВ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| "... of topographic defects of semiconductor silicon wafers have been provided. Comparison of the obtained results ..." | ||
| Том 9, № 2 (2018) | РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВОГО ДИОДА, СОДЕРЖАЩЕГО В СИММЕТРИЧНОМ p–n-ПЕРЕХОДЕ δ-СЛОЙ ТОЧЕЧНЫХ ТРЕХЗАРЯДНЫХ ДЕФЕКТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский | ||
| "... of the study is to calculate the electric parameters of a symmetric silicon diode, in the flat p–n-junction ..." | ||
| Том 14, № 1 (2023) | Импеданс индуктивного типа барьерных структур Mo/n-Si, облучённых альфа-частицами | Аннотация похожие документы |
| Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, К. В. Усенко, Е. А. Ермакова, Н. И. Горбачук, С. Б. Ластовский | ||
| "... In silicon microelectronics, flat metal spirals are formed to create an integrated inductance ..." | ||
| № 2 (2012) | ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ И СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ ЗОНДОВЫХ АВТОМАТИЧЕСКИХ СИСТЕМ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ МИКРОИ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ НА ПЛАСТИНЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Минченко, Г. Ф. Ковальчук, С. Б. Школык | ||
| "... with automatic sensing of LSI wafer are discussed. ..." | ||
| № 2 (2011) | АНАЛИЗ МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ПОТЕНЦИАЛА ДИЭЛЕКТРИКОВ ПО СХЕМЕ ТОКОВОЙ КОМПЕНСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. К. Тявловский, А. Л. Жарин | ||
| Том 14, № 3 (2023) | Универсальный цифровой зондовый электрометр для контроля полупроводниковых пластин | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Жарин, В. А. Микитевич, А. И. Свистун, К. В. Пантелеев | ||
| "... Non-contact electrical methods are widely used for research and control of semiconductor wafers ..." | ||
| Том 9, № 4 (2018) | Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, Г. Г. Чигирь, В. А. Филипеня, В. А. Горушко | ||
| "... of the initial silicon wafers and gate dielectric on its reliability. The paper proposes a model for evaluation ..." | ||
| Том 10, № 4 (2019) | Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Горбачук, Н. А. Поклонский, Я. Н. Марочкина, С. В. Шпаковский | ||
| "... of elements of silicon based integrated circuits with an impedance of inductive type. ..." | ||
| № 2 (2014) | РЕЖИМ САМОКАЛИБРОВКИ ЗОНДА КЕЛЬВИНА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский | ||
| "... Improvement of repeatability and reliability of semiconductor wafers properties monitoring ..." | ||
| Том 15, № 4 (2024) | Тонкоплёночная технология корпусирования микроэлектромеханических систем на основе каркасной структуры | Аннотация похожие документы |
| Е. С. Барбин, И. В. Кулинич, Т. Г. Нестеренко, А. Н. Коледа, Е. В. Шестериков, П. Ф. Баранов, Д. П. Ильященко | ||
| Том 8, № 3 (2017) | ЗАВИСИМОСТЬ СИГНАЛА ГИГАНТСКОГО КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА ОТ ФОРМЫ СЕРЕБРЯНЫХ НАНОСТРУКТУР, ВЫРАЩЕННЫХ В ПОРАХ SiO2 /n-Si-ШАБЛОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Якимчук, Е. Ю. Канюков, С. Е. Демьянов, В. Д. Бундюкова, А. В. Дейнак, И. И. Макоед, Г. М. Арзуманян, Н. В. Дорошкевич, К. З. Маматкулов, В. Сиваков | ||
| "... nanostructures were synthesized in silicon dioxide pores on monocrystalline silicon n-type substrate. The pores ..." | ||
| 1 - 25 из 42 результатов | 1 2 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
