Быстрое развитие беспроводных систем связи следующего поколения выдвигает требования по высокоскоростной передаче данных, пропускной способности, высокой надёжности, низким задержкам и повышенной гибкости. Основные исследования при этом сосредоточены в области технологии 5G. Средний диапазон частот до 6 ГГц привлекает внимание исследователей вследствие простоты его реализации на базе существующей инфраструктуры. Диапазон Sub-6 GHz (ниже 6 ГГц) стандарта 5G находит широкое применение в технике беспроводной связи. Полосы частот ниже 6 ГГц назначены для различных приложений. В статье дан обзор текущего состояния антенн для технологии 5G для диапазона ниже 6 ГГц. На основе литературных данных выполнено обобщение методов проектирования и применения антенн диапазона ниже 6 ГГц, направленное на преодоление известных проблем их проектирования.

Разработана математическая модель твердотельного лазера с пассивной модуляцией добротности на основе активных сред со-легированных иттербием и эрбием, с поперечной накачкой линейками лазерных диодов. Усиление в лазере рассчитывается с использованием скоростных уравнений с учётом пространственно-временной зависимости интенсивности излучения накачки в лазерном элементе. Выходные характеристики лазера, энергия импульса, пиковая мощность импульса и его длительность, рассчитываются с использованием аналитических уравнений, полученных для твердотельного лазера с пассивной модуляцией добротности в приближении «медленного» насыщающегося поглотителя. Модель позволяет найти диапазон параметров активного элемента, пассивного модулятора, резонатора и системы накачки, при которых достигается порог генерации и лазер генерирует импульсы с требуемой энергией и длительностью. Результаты моделирования использованы для экспериментальной разработки лазеров с активным элементом на основе фосфатного стекла, соактивированного ионами иттербия и эрбия. Энергия и длительность выходных световых импульсов составляли ≈ 1 мДж, ≈ 40 нс и ≈ 2 мДж и ≈ 20 нс в зависимости от содержания ионов иттербия и эрбия в активном элементе, а также от начального пропускания пассивного модулятора и параметров резонатора.

В радиоэлектронной аппаратуре часто необходимо оценивать уровень электрических сигналов различной формы, наиболее адекватной характеристикой которых является среднеквадратическое значение напряжения V_RMS . Для определения V_RMS  предпочтительно применение преобразователей переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значения (ПСКЗ) на основе термоэлектрических преобразователей. Известны электрические схемы ПСКЗ с термоэлектрическими преобразователями и сформулированы рекомендации по выбору компонентов для минимизации погрешности преобразования. Однако малая величина погрешности преобразования не является единственным требованием, предъявляемым к ПСКЗ в радиоэлектронной аппаратуре. Обычно необходим поиск компромиссного сочетания набора параметров. Целью работы являлась выработка рекомендаций по схемотехническому и конструктивному синтезу ПСКЗ с разным сочетанием технико-экономических параметров. В статье приведены результаты оценки основных параметров компонентов ПСКЗ, определяющих погрешность, устойчивость к механическим и радиационным воздействиям, стоимость при малосерийном производстве. Сравнение компонентов проведено на основе экспериментальных данных и представлено в виде таблиц и графиков результатов измерений, использование которых позволяет провести синтез измерительных преобразователей напряжения с различным сочетанием технико-экономических показателей. Сформулированы конкретные рекомендации по проектированию трёх типов измерительных преобразователей: дешёвого со средним уровнем параметров, прецизионного, радиационно-стойкого.

Объектом исследования являлись алюминиевые подложки для создания сенсорных устройств на основе анодного оксида алюминия; прошедшие механическую обработку в виде утонения; рихтовки и химической очистки поверхности. Предмет исследования – выявление остаточных механических напряжений; внутренних и поверхностных дефектов для оценки качества данной обработки методом сканирующего зонда Кельвина. Показано; что данный метод позволяет эффективно выявлять остаточные пластические деформации алюминиевых подложек; являющиеся следствием их термомеханической обработки; с разрешением; достаточным для выявления механических напряжений; связанных с отдельными шероховатостями.

Одна из ключевых проблем эксплуатации реакторов на быстрых нейтронах с охлаждением тяжёлым жидкометаллическим теплоносителем заключается в образовании и накоплении различных отложений. При проведении ремонтных работ эти отложения усложняют процесс восстановления оборудования. Это приводит к сокращению срока службы и снижению эффективности установки в целом. За исключением случаев разрушения активной зоны, процессы образования и перемещения примесей в контуре с тяжёлым жидкометаллическим теплоносителем протекают со временем довольно медленно. Соответственно, важным аспектом работы является время от запроса до получения полной информации о состоянии системы. Целью работы являлся контроль состава, количества и состояния примесей во всех возможных состояниях (присутствующих в виде раствора в тяжёлом жидкометаллическом теплоносителе, пассивированных конгломератов на внутренних поверхностях контура, а также на свободной поверхности тяжёлого жидкометаллического теплоносителя); разработка набора устройств, позволяющих контролировать эти процессы. Рассмотрены процессы массообмена и массопереноса в контуре с учётом влияния образующихся примесей, влияющих на состояние системы. Предложены к использованию секторные системы контроля, позволяющие оперативно и достоверно проводить контроль примеси и их состава.

Рассмотрен метод регистрации отклика на радиационное воздействие с использованием рентгеновского комплекса РИК-0401 и показано, что для линейных стабилизаторов напряжения интегральных схем он позволяет диагностировать наличие изменений в их топологии. Исследованы 4 типа микросхем ИС-ЛС1-1.8В, которые по основным электрическим параметрам эквивалентны, но имеют отличия в исполнении выходного ключа (вертикальные транзисторы с различным разведением базы), токовых зеркал и дифференциальных каскадов: c измененным исполнением базы выходного ключа и вертикальными p-n-p-структурами (Тип 1); с измененным исполнением базы выходного ключа и смешанными (латеральные + вертикальные) p-n-p-структурами (Тип 2); с исполнением базы выходного ключа как у зарубежного аналога и вертикальными p-n-p-структурами (Тип 3); с исполнением базы выходного ключа как у зарубежного аналога и смешанными (латеральные + вертикальные) p-n-p-структурами (Тип 4). По результатам исследования установлено, что наибольшую радиационную стойкость к эффектам поглощённой дозы демонстрируют образцы микросхемы стабилизатора напряжения ИС-ЛС1-1.8В Типа 1 и Типа 2. Для исследования образцов линейного стабилизатора на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения использовался лазерный комплекс РАДОН-23 с максимальной плотностью энергии 200 мДж/см². Установлено отсутствие тиристорного эффекта в исследованных Типах 1–4 линейного стабилизатора напряжения ИС-ЛС1-1.8В. Полученные результаты позволяют разрабатывать способы повышения радиационной стойкости линейного стабилизатора напряжения ИС-ЛС1-1.8В путём варьирования топологии интегральных микросхем и выбирать наиболее выгодный вариант изготовления выходного ключа.

Проведён сравнительный анализ применения метода отражательно-абсорбционной спектроскопии с использованием заводской приставки диффузного отражения DRIFT ИК-спектрофотометра ALPHA и метода нарушенного полного внутреннего отражения для исследования оптических характеристик плёнок фоторезистов ФП9120, AZ nLOF 2020, 2070, 5510 и KMP E3502 толщиной 0,99– 6,0 мкм, сформированных на пластинах монокристаллического кремния методом центрифугирования. В отражательно-абсорбционных ИК спектрах полосы поглощения наблюдаются на фоне интерференционных полос, что позволяет определять показатель преломления фоторезиста при известной геометрической толщине плёнки. Показано, что метод отражательно-абсорбционной спектроскопии с использованием заводской приставки диффузного отражения DRIFT имеет как более высокую чувствительность по сравнению с методом нарушенного полного внутреннего отражения, так и пригоден для проведения неразрушающего межоперационного контроля в технологии изготовления приборов полупроводниковой электроники. Наиболее интенсивными в отражательно-абсорбционных спектрах фоторезистивных плёнок AZ nLOF и KMP E3502 являются полосы валентных колебаний ароматического кольца (≈ 1500 см^-1), пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца (сдвоенный максимум ≈ 1595 и 1610 см^-1) и полоса с максимумом ≈ 1430 см-1, обусловленная колебаниями бензольного кольца, связанного с СН2-мостиком. Установлено, что различия отражательно-абсорбционных спектров негативных фоторезистов разных производителей – MicroChemicals (AZ nLOF серии 2000) и Kempur Microelectronics (KMP E3502) – связаны с различными технологиями получения фенолформальдегидной смолы и наличием в плёнках остаточного растворителя.