Preview

Приборы и методы измерений

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Горбачук Н.И., Поклонский Н.А., Марочкина Я.Н., Шпаковский С.В. Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс. Приборы и методы измерений. 2019;10(4):322-330. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2019-10-4-322-330

For citation:


Gorbachuk N.I., Poklonski N.A., Marochkina Y.N., Shpakovski S.V. Effect of Hole Extraction from the Base Region of a Silicon p–n–p Transistor on its Reactive Impedance. Devices and Methods of Measurements. 2019;10(4):322-330. (In Russ.) https://doi.org/10.21122/2220-9506-2019-10-4-322-330

Просмотров: 83


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2220-9506 (Print)
ISSN 2414-0473 (Online)