Preview

КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ С ЭФФЕКТИВНОЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИЕЙ НА ДИСЛОКАЦИЯХ Мудрый А.В.1, Живулько В.Д.1, Мофиднахаи Ф.1, Ивлев Г.Д.2, Якушев М.

Полный текст:

Аннотация

В кремниевых p-n структурах обнаружена эффективная электролюминесценция в области переходов зона–зона (1,1 эВ) и переходов, обусловленных дислокациями (D1–0,8 эВ), при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Установлено, что люминесценция, обусловленная дислокациями в монокристаллах Si, значительно сильнее, чем собственное межзонное излучение в интервале температур 4,2–300 К. Измерение температурной зависимости интенсивности полосы фотолюминесценции D1 показало, что за излучательную рекомбинацию на дислокациях ответственны два энергетических уровня, расположенных ниже зоны проводимости (≈ 0,04 эВ) и выше валентной зоны (≈ 0,32 эВ).

Для цитирования:


Мудрый А.В., Живулько В.Д., Мофиднахаи Ф., Ивлев Г.Д., Якушев М.В., Мартин Р.В., Двуреченский А.В., Зиновьев В.А., Смагина Ж.В., Кучинская П.А. КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ С ЭФФЕКТИВНОЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИЕЙ НА ДИСЛОКАЦИЯХ Мудрый А.В.1, Живулько В.Д.1, Мофиднахаи Ф.1, Ивлев Г.Д.2, Якушев М. Приборы и методы измерений. 2014;(1):38-45.

For citation:


Mudryi A.V., Zhivulko V.D., Mofidnakhaei F., Ivlev G.D., Yakushev M.V., Martin R.W., Dvurechenskii A.V., Zinovyev V.A., Smagina Zh.V., Kuchinskaja P.A. EFFECTIVE SILICON DEVICE STRUCTURES WITH RADIATIVE RECOMBINATION ON DISLOCATIONS. Devices and Methods of Measurements. 2014;(1):38-45. (In Russ.)

Просмотров: 793


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2220-9506 (Print)
ISSN 2414-0473 (Online)