Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 1 (2014) | КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ С ЭФФЕКТИВНОЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИЕЙ НА ДИСЛОКАЦИЯХ Мудрый А.В.1, Живулько В.Д.1, Мофиднахаи Ф.1, Ивлев Г.Д.2, Якушев М. | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мудрый, В. Д. Живулько, Ф. Мофиднахаи, Г. Д. Ивлев, М. В. Якушев, Р. В. Мартин, А. В. Двуреченский, В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, П. А. Кучинская | ||
| "... 1 – 0,8 eV) transitions has been detected from Si p-n structures at room and liquid nitrogen ..." | ||
| Том 9, № 2 (2018) | РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВОГО ДИОДА, СОДЕРЖАЩЕГО В СИММЕТРИЧНОМ p–n-ПЕРЕХОДЕ δ-СЛОЙ ТОЧЕЧНЫХ ТРЕХЗАРЯДНЫХ ДЕФЕКТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский | ||
| "... of the study is to calculate the electric parameters of a symmetric silicon diode, in the flat p–n-junction ..." | ||
| Том 8, № 4 (2017) | ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА КРЕМНИЙ-ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ ЗОНДОВОЙ ЭЛЕКТРОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, В. А. Филипеня, Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, К. В. Пантелеев, А. И. Свистун, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... results qualitatively reflect changes of interface charge density in silicon-silicon dioxide structure ..." | ||
| Том 10, № 3 (2019) | Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Горбачук, Н. А. Поклонский, Я. Н. Марочкина, С. В. Шпаковский | ||
| "... for controlling of differential resistance of p–n-junctions of the bipolar p–n–p-transistor in active mode ..." | ||
| Том 10, № 4 (2019) | Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Горбачук, Н. А. Поклонский, Я. Н. Марочкина, С. В. Шпаковский | ||
| "... , the structures based on p–n–p transistors KT814G manufactured by JSC “INTEGRAL” were studied. It is shown ..." | ||
| № 2 (2013) | КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer ..." | ||
| № 2 (2013) | КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, А. С. Турцевич, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский | ||
| "... of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer ..." | ||
| Том 7, № 1 (2016) | СКЛЕРОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ МИКРОТВЕРДОСТИ ПЛЕНОК ФОТОРЕЗИСТА НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, Ю. Н. Янковский, С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, В. Е. Гайшун | ||
| "... for microhardness measurement of structures photoresist-silicon is carried out. It is shown that the scratching ..." | ||
| Том 13, № 4 (2022) | Высокочастотный конденсатор с рабочим веществом «изолятор нелегированный кремний изолятор» | Аннотация похожие документы |
| Н. А. Поклонский, И. И. Аникеев, С. А. Вырко | ||
| "... with the working substance "insulator-undoped silicon-insulator" at different applied to the capacitor direct ..." | ||
| № 2 (2012) | СРЕДСТВА РЕГИСТРАЦИИ ИМПУЛЬСНОГО ВИДИМОГО ИЗЛУЧЕНИЯ МАЛОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ. ЧАСТЬ 1. ОСОБЕННОСТИ И ВОЗМОЖНОСТИ МНОГОКАНАЛЬНЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ С ВНУТРЕННИМ УСИЛЕНИЕМ. ОБЗОР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов | ||
| "... . It is offered to use silicon photomultipliers for production of multi-channel optoelectronic systems ..." | ||
| Том 14, № 4 (2023) | Влияние температуры от 20 до 100 °С на удельную поверхностную энергию и вязкость разрушения пластин кремния | Аннотация похожие документы |
| В. А. Лапицкая, Т. А. Кузнецова, С. А. Чижик | ||
| "... and fracture toughness of standard silicon wafers of three orientations (100), (110) and (111) was studied ..." | ||
| Том 15, № 4 (2024) | Конвертор поляризации на основе нитрида кремния на изоляторе | Аннотация похожие документы |
| Д. М. Моховиков, Е. С. Барбин, Т. Г. Нестеренко, А. А. Таловская, А. С. Мырзахметов, И. В. Кулинич, П. Ф. Баранов, Д. П. Ильященко | ||
| "... a design method and fabrication technology for polarization converters based on silicon nitride ..." | ||
| Том 16, № 1 (2025) | Отражательно-абсорбционная ИК Фурье-спектроскопия фоторезистивных плёнок на кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. И. Бринкевич, Е. В. Гринюк, В. С. Просолович, С. Д. Бринкевич, В. В. Колос, О. А. Зубова | ||
| "... silicon by centrifugation has been carried out. In the reflective absorption IR spectra absorption bands ..." | ||
| Том 14, № 1 (2023) | Импеданс индуктивного типа барьерных структур Mo/n-Si, облучённых альфа-частицами | Аннотация похожие документы |
| Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, К. В. Усенко, Е. А. Ермакова, Н. И. Горбачук, С. Б. Ластовский | ||
| "... In silicon microelectronics, flat metal spirals are formed to create an integrated inductance ..." | ||
| № 1 (2013) | СРЕДСТВА РЕГИСТРАЦИИ ИМПУЛЬСНОГО ВИДИМОГО ИЗЛУЧЕНИЯ МАЛОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ. Часть 2. ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ОБРАБОТКА СИГНАЛОВ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ. ОБЗОР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов | ||
| "... Bias circuits, output signals and readout electronics of silicon photomultipliers are considered ..." | ||
| Том 15, № 2 (2024) | Структура планарной поверхности кремниевых пластин до и после быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский, В. А. Солодуха | ||
| "... implantation. However the crystal structure of mechanically disturbed layer on wafer planar side is still ..." | ||
| Том 7, № 3 (2016) | ИЗМЕРЕНИЯ АНТРОПОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НА ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИИ ВИЗУАЛИЗАЦИИ ДВИЖЕНИЯ | Аннотация похожие документы |
| С. Пасько, М. Сутковский | ||
| "... into the object reconstruction procedure (using Structure from Motion method) applied for anthropometric ..." | ||
| Том 12, № 2 (2021) | Приборный ряд фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью | Аннотация похожие документы |
| Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин, К. В. Пантелеев, А. И. Свистун, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский, Л. И. Шадурская | ||
| "... with different functionality based on a range of simple device structures. The aim of this work is to analyze ..." | ||
| Том 8, № 3 (2017) | ФЕРРОМАГНИТНЫЕ НАНОТРУБКИ В ПОРАХ ТРЕКОВЫХ МЕМБРАН ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Ю. Канюков, Е. Е. Шумская, М. Д. Кутузов, Д. Б. Боргеков, И. Е. Кенжина, А. Л. Козловский, М. В. Здоровец | ||
| "... structure were established: lattice type, lattice parameter and average crystallite size. The magnetic ..." | ||
| Том 9, № 1 (2018) | ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МАССИВОВ ZN НАНОТРУБОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. Б. Кадыржанов, М. В. Здоровец, А. Л. Козловский, А. В. Петров, В. Д. Бундюкова, Е. Е. Шумская, Е. Ю. Канюков | ||
| "... of scanning electron microscopy, X-ray diffraction and energy dispersive analysis, the structure of nanotubes ..." | ||
| Том 9, № 1 (2018) | ОЦЕНКА РАЗМЕРОВ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| "... is shown through defocusing of an image of a topological layout of a structure being formed and through ..." | ||
| Том 9, № 3 (2018) | Измерение локальных остаточных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| "... Residual stress distribution in multilayer semiconductor structure is complicated and has ..." | ||
| Том 10, № 2 (2019) | Применение многопараметрического анализа широкополосных спектров пропускания для калибровки физико-химических показателей вин | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Ходасевич, Е. А. Скорбанова, М. В. Роговая | ||
| "... of this calibration by selecting spectral variables. Using the interval projection to latent structures ..." | ||
| Том 12, № 1 (2021) | Оценка неравномерности упругих свойств листов из закрытоячеистых пенополиолефинов акустическим методом | Аннотация похожие документы |
| О. П. Богдан, Д. В. Злобин, О. В. Муравьева, С. М. Молин, А. В. Платунов | ||
| "... spread relative to the average value is affected by the structure of the foam polyolefin material and its ..." | ||
| Том 7, № 1 (2016) | ПРИМЕНЕНИЕ МНОГОПАРАМЕТРИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ШИРОКОПОЛОСНЫХ СПЕКТРОВ ПРОПУСКАНИЯ ДЛЯ ИДЕНТИФИКАЦИИ ВИН С ГЕОГРАФИЧЕСКИМ НАИМЕНОВАНИЕМ ПРОИСХОЖДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Ходасевич, Е. А. Скорбанова, Л. И. Обадэ, Н. Ф. Дегтярь, Е. И. Камбур, М. В. Роговая | ||
| "... young Moldovan wine harvested in 2014 by the projection to latent structures of the transmission spectra ..." | ||
| 1 - 25 из 27 результатов | 1 2 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
