Preview

Приборы и методы измерений

Расширенный поиск

ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МАССИВОВ ZN НАНОТРУБОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

https://doi.org/10.21122/2220-9506-2018-9-1-66-73

Полный текст:

Аннотация

Целью работы являлось изучение возможности применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники, в том числе в условиях воздействия ионизирующего излучения.

В работе представлены результаты синтеза Zn нанотрубок, полученных путем электрохимического осаждения в поры полимерных матриц, и изучение их структурных и электрофизических свойств после направленной модификации ионизирующим излучением с различной дозой. Методами растровой электронной микроскопии, рентгеноструктурного и энергодисперсионного анализа изучена структура нанотрубок, имеющих поликристаллическую структуру и полностью состоящих из цинка, и продемонстрировано, что облучение ионами Ar8+ с дозой от 1 × 109 до 5 × 1011 ион/см2 и энергией 1,75 МэВ/нуклон оказывает влияние на кристаллическую структуру нанотрубок.

При больших дозах в Zn нанотрубок возникают локализованные высокодефектные зоны, приводящие к критическому изменению структуры и, соответственно, электропроводимости: при малых дозах электропроводимость увеличивается, однако при достижении порогового значения – резко снижается. Таким образом, был устанавлен механизм воздействия ионизирующего облучения на наноматериалы и определена возможность применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники.

Об авторах

Д. Б. Кадыржанов
Евразийский национальный университет им. Л.Н. Гумилева
Казахстан


М. В. Здоровец
Евразийский национальный университет им. Л.Н. Гумилева; Астанинский филиал Института ядерной физики Министерства энергетики Республики Казахстан; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина
Казахстан


А. Л. Козловский
Евразийский национальный университет им. Л.Н. Гумилева; Астанинский филиал Института ядерной физики Министерства энергетики Республики Казахстан;
Казахстан


А. В. Петров
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь


В. Д. Бундюкова
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь


Е. Е. Шумская
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь

Адрес для переписки:  Шумская Е.Е. – НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, ул. П. Бровки, 19, г. Минск 220072, Беларусь     e-mail: lunka7@mail.ru



Е. Ю. Канюков
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь


Список литературы

1. Kaur A., Chauhan R.P. Modifications induced by silicon and nickel ion beams in the electrical conductivity of zinc nanowires. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2013, vol. 24, no. 11, pp. 4302–4310. doi: 10.1007/s10854-013-1402-0

2. Ronning C., Borschel C., Geburt S., Niepelt R. Ion beam doping of semiconductor nanowires. Materials Science and Engineering R: Reports, 2010, vol. 70, no. 3–6, pp. 30–43. doi: 10.1016/j.mser.2010.07.002

3. Chauhan R.P., Gehlawat D., Kaur A. Ion beam fluence induced variation in optical band-gap of ZnO nanowires. Journal of Experimental Nanoscience, 2014, vol. 9, no. 8, pp. 871–876. doi: 10.1080/17458080.2012.736639

4. Gehlawat D., Chauhan R.P. Swift heavy ions induced variation in the electronic transport through Cu nanowires. Materials Chemistry and Physics, 2014, vol. 145, no. 1–2, pp. 60–67. doi: 10.1016/j.matchemphys.2014.01.033

5. Chauhan R.P., Rana P. Effect of O5+ ion implantation on the electrical and structural properties of Cu nanowires. Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry, 2014, vol. 302, no. 2, pp. 851–856. doi: 10.1007/s10967-014-3262-3

6. Dhara S. Formation, dynamics, and characterization of nanostructures by ion beam irradiation. Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, 2007, vol. 32, no. 1–2, pp. 1–50. doi: 10.1080/10408430601187624

7. Park S.K., Hong Y.K., Lee Y.B., Bae S.W., Joo J. Surface modification of Ni and Co metal nanowires through MeV high energy ion irradiation. Current Applied Physics, 2009, vol. 9, no. 4, pp. 847–851. doi: 10.1016/j.cap.2008.07.021

8. Rana P., Narula C., Rani A., Chauhan R.P., Gupta R., Kumar R. Ion implantation effects of negative oxygen on copper nanowires. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017, vol. 28, no. 14, pp. 9998–10006. doi: 10.1007/s10854-017-6757-1

9. Kumari M., Rana P., Chauhan R.P. Modifi tions in structural and electrical properties of gamma irradiated CdSe nanowires. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2014, vol. 753, pp. 116–120. doi: 10.1016/j.nima.2014.03.062

10. Shlimas D.I., Kozlovskiy A.L., Zdorovets M.V., Mashentseva A.A., Kadyrzhanov K.K. Changes in structural and conducting characteristics of zinc nanotubes by bombardment with Xe+22 heavy ions. High Energy Chemistry, 2017, vol. 51, no. 1, pp. 14–19. doi: 10.1134/S0018143916060175

11. Korolkov I. V., Gorin Y.G., Yeszhanov A.B., Kozlovskiy A.L., Zdorovets M.V. Preparation of PET track-etched membranes for membrane distillation by photo-induced graft polymerization. Materials Chemistry and Physics, 2018, vol. 205, pp. 55–63. doi: 10.1016/j.matchemphys.2017.11.006


Для цитирования:


Кадыржанов Д.Б., Здоровец М.В., Козловский А.Л., Петров А.В., Бундюкова В.Д., Шумская Е.Е., Канюков Е.Ю. ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МАССИВОВ ZN НАНОТРУБОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ. Приборы и методы измерений. 2018;9(1):66-73. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2018-9-1-66-73

For citation:


Kadyrzhanov D.B., Zdorovets M.V., Kozlovskiy A.L., Petrov A.V., Bundyukova V.D., Shumskaya A.E., Kaniukov E.Yu. INFLUENCE OF IONIZING IRRADIATION ON THE PARAMETERS OF ZN NANOTUBES ARRAYS FOR DESIGN OF FLEXIBLE ELECTRONICS ELEMENTS. Devices and Methods of Measurements. 2018;9(1):66-73. (In Russ.) https://doi.org/10.21122/2220-9506-2018-9-1-66-73

Просмотров: 427


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2220-9506 (Print)
ISSN 2414-0473 (Online)