Для цитирования:

Борздов А.B., Борздов В.М., Буйновский Д.Н., Петлицкий А.Н. Моделирование методом Монте-Карло фотоотклика в кремниевых фотодиодах с p-n-переходом и p-i-n-структурой. Приборы и методы измерений. 2025;16(2):140-146. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2025-16-2-140-146

For citation:

Borzdov A.V., Borzdov V.M., Buinouski D.N., Petlitsky A.N. Monte Carlo Simulation of Photoresponse in Silicon Photodiodes with p-n-Junction and p-i-n-Structure. Devices and Methods of Measurements. 2025;16(2):140-146. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2025-16-2-140-146