Численное моделирование электрических характеристик полупроводниковых фотодиодов является важным этапом на стадии их разработки и проектирования. В этой связи следует отметить, что одним из наиболее перспективных методов, который может быть использован для этой цели, является многочастичный метод Монте-Карло. Данный метод позволяет учитывать и включать наряду с доминирующими механизмами рассеяния носителей заряда в приборной структуре также и процессы ударной ионизации, что является очень важным при адекватном моделировании широкого класса кремниевых фотодиодов, работающих в режиме обратного смещения. Целью работы явилось изучение влияния процесса ударной ионизации на электрические характеристики кремниевых субмикронных фотодиодов с p-n-переходом и p-i-n-структурой, работающих в режиме обратного смещения при воздействии пикосекундных импульсов излучения видимого диапазона спектра. С помощью самосогласованного моделирования многочастичным методом Монте-Карло проведен расчёт и сравнение с известными экспериментальными данными коэффициента ионизации электронами в объёмном кремнии при температуре кристаллической решётки 300 К. Рассчитан фотоотклик в кремниевых субмикронных фотодиодах с p-n-переходом и фотодиодах с p-i-n-структурой для различных толщин i-области. Показано, что использование для расчёта интенсивности процесса ударной ионизации простых моделей, подобных модели Келдыша, предполагающих постоянные значения пороговой энергии и других параметров, не позволяет согласовать полученные значения коэффициента ионизации с экспериментальными данными в широком диапазоне напряжённости электрического поля. Этот результат ставит вопрос об адекватности моделирования электрических характеристик приборных структур с неоднородным электрическим полем при использовании таких простых моделей ударной ионизации.