Для цитирования:

Поклонский Н.А., Вырко С.А., Ковалев А.И., Аникеев И.И., Горбачук Н.И. Схема элемента Пельтье на полупроводниках с прыжковым переносом электронов по дефектам. Приборы и методы измерений. 2021;12(1):13-22. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2021-12-1-13-22

For citation:

Poklonski N.A., Vyrko S.A., Kovalev A.I., Anikeev I.I., Gorbachuk N.I. Design of Peltier Element Based on Semiconductors with Hopping Electron Transfer via Defects. Devices and Methods of Measurements. 2021;12(1):13-22. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2021-12-1-13-22