Для цитирования:

Борздов А.В., Борздов В.М., Дорожкин Н.Н. ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЛУБОКОСУБМИКРОННОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА СО СТРУКТУРОЙ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ». Приборы и методы измерений. 2016;7(2):161-168. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2016-7-2-68-81

For citation:

Borzdov A.V., Borzdov V.M., Dorozhkin N.N. NUMERICAL SIMULATION OF ELECTRIC CHARACTERISTICS OF DEEP SUBMICRON SILICON-ON-INSULATOR MOS TRANSISTOR. Devices and Methods of Measurements. 2016;7(2):161-168. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2016-7-2-68-81