SPECTRAL DISTRIBUTION OF SPONTANEOUS ELECTROLUMINESCENCE IN GREEN LIGHT EMITTING DIODES AT DIFFERENT EXCITATION LEVELS
Abstract
Metrological possibilities of a specialised measuring complex with which help electroluminescence spectra (EL) light-emitting diodes (LED) are received are studied. The analysis is carried out and forms of spectra of EL LED with a single quantum hole on the basis of model considering penetration into twodimensional active layer InGaN of electric field from barrier layers GaN adjoining to it and AlGaN are investigated. By means of the given model values of effective width of the forbidden zone, Fermi's level, parametre of a exponential tail of density of a condition are received.
About the Authors
D. S. Bobuchenko
Belarusian National Technical University
Belarus
Belarus
D. S. Domanevskii
Belarusian National Technical University
Belarus
Belarus
I. A. Khorunzhii
Belarusian National Technical University
Belarus
Belarus
Yu. V. Trofimov
Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий НАН Беларуси, Минск
Belarus
Belarus
V. I. Tsvirko
Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий НАН Беларуси, Минск
Belarus
Belarus
R. D. Kakanakov
Институт прикладной физики, Пловдив
Bulgaria
Bulgaria
References
1. Нитриды галлия, индия, алюминия – структуры и приборы: тезисы докладов 7-ой Всерос. конф., Москва, 1-3 февраля 2010. / Физ. фак-т МГУ им. М.В. Ломоносова, Физ.-техн. ин-т. им. А.Ф. Иоффе РАН, РАН; под ред. А.В. Сахарова [и др.]. – СПб .: Политех. университет, 2010. – 256 с.
2. Заутер, Г. Фотометрия светодиодов / Г. Заутер, М. Линдеманн, А. Шперлинг, И. Оно // Светотехника. – 2004. – №3. – С. 5 – 13.
3. Доманевский, Д. С. Анализ формы низкоэнергетического фронта спектров электролюминесценции (ЭЛ) светодиодов с одиночной InGaN квантовой ямой /Д. С. Доманевский, В. А. Вилькоцкий, Ю. В. Трофимов, Б. Г. Арнаудов, Р. Д. Каканаков., С. А. Манего // Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы: тезисы докладов 5-ой Всерос. конф., Москва, 31 января–02 февраля 2007 г. / Физ. фак-т МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ.-техн. ин-т. им. А. Ф. Иоффе РАН, РАН; под ред. В. В. Лундина [и др.]. – СПб .: Политех. университет, 2007. – С. 87–88.
4. Доманевский, Д. С. Форма полосы излучения светоизлучающих диодов (СИД) с одиночной квантовой ямой (КЯ) InGaN / GaN между легированными барьерами / Д. С. Доманевский, Б. Г. Арнаудов, Д. С. Бобученко, Ю. В Трофимов, Р. Д. Каканаков // Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы: тезисы докладов 6-й Всерос. конф. Санкт-Петербург, 18-20 июня 2008 г. / С.-Петерб. политех. ун-т, Физ. фак-т МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ.-техн. ин-т. им. А. Ф. Иоффе РАН, РАН; под ред. А. В. Сахарова [и др.].– СПб.: Политех. университет, 2008. – С. 169– 170.
5. Доманевский, Д. С. Оптический контроль параметров полупроводников типа А3В5 / Д. С. Доманевский, В. А. Вилькоцкий, С. В. Жоховец, Г. Гобш, А. А. Герасимович, Б. Г. Арнаудов, Р. Д. Каканаков, .Ю. В. Трофимов // Высокие технологии в промышленности России: материалы XII Междунар. научно-техн. конф., Москва, 7–9 сентября 2006 г. – Москва : ЦНИТИ «Техномаш», 2006. – С. 427–433.
6. Питер, Ю. Основы физики полупроводников / Ю. Питер, М. Кардона. – М.: Физматлит, 2002. – 560 с.
Review
For citations:
Bobuchenko D.S., Domanevskii D.S., Khorunzhii I.A., Trofimov Yu.V., Tsvirko V.I., Kakanakov R.D. SPECTRAL DISTRIBUTION OF SPONTANEOUS ELECTROLUMINESCENCE IN GREEN LIGHT EMITTING DIODES AT DIFFERENT EXCITATION LEVELS. Devices and Methods of Measurements. 2010;(1):107-112. (In Russ.)
Views:
1751
Email this article 