Изучены метрологические возможности специализированного измерительного комплекса, с помощью которого получены спектры электролюминесценции (ЭЛ) светоизлучающих диодов (СИД). Проведен анализ и исследованы формы спектров ЭЛ СИД с одиночной квантовой ямой на основе модели учитывающей проникновение в двухмерный активный слой InGaN электрического поля от прилегающих к нему барьерных слоев GaN и AlGaN. С помощью данной модели получены значения эффективной ширины запрещенной зоны, уровня Ферми, параметра экспоненциального хвоста плотности состояния.
Metrological possibilities of a specialised measuring complex with which help electroluminescence spectra (EL) light-emitting diodes (LED) are received are studied. The analysis is carried out and forms of spectra of EL LED with a single quantum hole on the basis of model considering penetration into twodimensional active layer InGaN of electric field from barrier layers GaN adjoining to it and AlGaN are investigated. By means of the given model values of effective width of the forbidden zone, Fermi's level, parametre of a exponential tail of density of a condition are received.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.