МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНСТРУКЦИИ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМИ ОБЛАСТЯМИ ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ МАЛОМОЩНЫХ СВЕТОВЫХ ПОТОКОВ
https://doi.org/10.21122/2220-9506-2011-0-1-19-22
Аннотация
Проведено моделирование конструкции охранной области и величины напряжения пробоя лавинного фотодиода со структурой диода Рида. Показано влияние полевой обкладки с системой охранных колец на область пробоя n+-p перехода и предложен метод ее реализации. Установлен требуемый профиль примеси в эпитаксиальной пленке при концентрации примеси в подложке ~2,5·1014 см-3, определены пробивные напряжения диода с охранными кольцами, распределение в нем электрического поля и области пробоя.
Для цитирования:
Корытко Н.Н., Залесский В.Б., Малышев В.С., Хатько В.В. МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНСТРУКЦИИ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМИ ОБЛАСТЯМИ ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ МАЛОМОЩНЫХ СВЕТОВЫХ ПОТОКОВ. Приборы и методы измерений. 2011;(1):32-39. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2011-0-1-19-22
For citation:
Koritko N.N., Zalesskij V.B., Malishev V.S., Khatko V.V. SIMULATION OF AVALANCHE PHOTODIODE CONSTRUCTION WITH GUARD AREAS. Devices and Methods of Measurements. 2011;(1):32-39. (In Russ.) https://doi.org/10.21122/2220-9506-2011-0-1-19-22
Просмотров:
966
Послать статью по эл. почте 