Preview

Приборы и методы измерений

Расширенный поиск

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ Er3+,Yb3+:YAl3(BO3)4 МИКРОЧИП-ЛАЗЕР С ПРОДОЛЬНОЙ ДИОДНОЙ НАКАЧКОЙ

Полный текст:

Аннотация

Представлены генерационные характеристики микрочип-лазера на кристалле Er,Yb:YAl3(BO3)4  в режиме пассивной модуляции добротности для применения в дальнометрии. При использовании кристалла Co2+:MgAl2O4 в качестве пассивного затвора максимальная средняя выходная мощность составила 315 мВт на длине волны 1522 нм c длительностью импульсов 5 нс и энергией 5,25 мкДж при частоте следования 60 кГц.

Об авторах

К. Н. Горбаченя
Научно-исследовательский центр оптических материалов и технологий БНТУ г. Минск
Беларусь


В. Э. Кисель
Научно-исследовательский центр оптических материалов и технологий БНТУ г. Минск
Беларусь


А. С. Ясюкевич
Научно-исследовательский центр оптических материалов и технологий БНТУ г. Минск
Беларусь


Н. В. Кулешов
Научно-исследовательский центр оптических материалов и технологий БНТУ г. Минск
Беларусь


В. В. Мальцев
Московский государственный университет им. М. Ломоносова
Россия


Н. И. Леонюк
Московский государственный университет им. М. Ломоносова
Россия


Список литературы

1. Fluck, R. Eyesafe pulsed microchip laser using semiconductor saturable absorber mirrors / R. Fluck, R. Haring, R. Pascotta [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 1998. – Vol. 72, № 25. – P. 3273–3275.

2. Thony, Ph. 1.55 μm passive Q-switched microchip laser / Ph. Thony, B. Ferrand, E. Molva // OSA Proceedings on Advanced Solid-State Lasers. – 998. – Vol. 19. – P. 150.

3. Kisel, V.E. Passive Q switches for a diode-pumped erbium glass laser / V.E. Kisel, V.G. Shcherbitskii [et al.] // Quantum Electronics – 2005. – Vol. 35, № 37. – P. 611–614.

4. Georgiou, E. 1.65-μm Er,Yb:YAG diode-pumped laser delivering 80-mJ pulse energy / E. Georgiou [et al.] // Opt. Engineering – 2005. – Vol. 44, № 6. – P. 064202.

5. Hellstrom, J. Passive Q-switching at 1,54 μm of an Er,Yb: GdCa4O(BO3)3 laser with a Co2+:MgAl2O4 saturable absorber / J. Hellstrom, G. Karlsson, V. Pasiskevicius [et al.] // Appl. Phys. B. – 2005. – Vol. 81, № 1. – P. 49–52.

6. Tolstik, N.A. Spectroscopy, continuous-wave and Q-switched diode-pumped laser operation of Er,Yb:YVO4 crystal / N.A. Tolstik, A.E. Troshin, S.V. Kurilchik [et al.] // Appl. Phys. B. – 2007. – Vol. 86, № 2. – P. 275-278.

7. Tolstik, N.A. Er,Yb:YAl3(BO3)4-efficient 1.5 μm laser crystal / N.A. Tolstik, V. E. Kisel, N. V. Kuleshov [et al.] // Appl. Phys. B. – 2009. – Vol. 97. – P. 357–362.

8. Tolstik, N.A. Excited state absorption, energy levels, and thermal conductivity of Er3+:YAB / N.A. Tolstik, G. Huber, V.V. Maltsev [et al.] // Appl. Phys. B. – 2008. – Vol. 92. – P. 567–571.


Для цитирования:


Горбаченя К.Н., Кисель В.Э., Ясюкевич А.С., Кулешов Н.В., Мальцев В.В., Леонюк Н.И. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ Er3+,Yb3+:YAl3(BO3)4 МИКРОЧИП-ЛАЗЕР С ПРОДОЛЬНОЙ ДИОДНОЙ НАКАЧКОЙ. Приборы и методы измерений. 2012;(2):79-82.

For citation:


Gorbachenya K.N., Kisel V.E., Yasukevich A.S., Kuleshov N.V., Maltsev V.V., Leonyuk N.I. HIGH REPETITION RATE MICROCHIP ER3+,YB3+:YAL3(BO3)4 DIODE-PUMPED LASER. Devices and Methods of Measurements. 2012;(2):79-82. (In Russ.)

Просмотров: 450


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2220-9506 (Print)
ISSN 2414-0473 (Online)