pimiПриборы и методы измеренийDevices and Methods of Measurements2220-95062414-0473BNTUpimi-102Research ArticleМетоды измерений, контроля, диагностикиMethods of measurements, monitoring, diagnosticsВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ Er3+,Yb3+:YAl3(BO3)4 МИКРОЧИП-ЛАЗЕР С ПРОДОЛЬНОЙ ДИОДНОЙ НАКАЧКОЙHIGH REPETITION RATE MICROCHIP ER3+,YB3+:YAL3(BO3)4 DIODE-PUMPED LASERГорбаченяК. Н.GorbachenyaK. N.gorby@bntu.byКисельВ. Э.KiselV. E.gorby@bntu.byЯсюкевичА. С.YasukevichA. S.gorby@bntu.byКулешовН. В.KuleshovN. V.gorby@bntu.byМальцевВ. В.MaltsevV. V.gorby@bntu.byЛеонюкН. И.LeonyukN. I.gorby@bntu.byНаучно-исследовательский центр оптических материалов и технологий БНТУ г. МинскBelarusМосковский государственный университет им. М. ЛомоносоваRussian Federation201224042015027982Copyright © Горбаченя К.Н., Кисель В.Э., Ясюкевич А.С., Кулешов Н.В., Мальцев В.В., Леонюк Н.И., 20152015Горбаченя К.Н., Кисель В.Э., Ясюкевич А.С., Кулешов Н.В., Мальцев В.В., Леонюк Н.И.Gorbachenya K.N., Kisel V.E., Yasukevich A.S., Kuleshov N.V., Maltsev V.V., Leonyuk N.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://pimi.bntu.by/jour/article/view/102

Представлены генерационные характеристики микрочип-лазера на кристалле Er,Yb:YAl3(BO3)4  в режиме пассивной модуляции добротности для применения в дальнометрии. При использовании кристалла Co2+:MgAl2O4 в качестве пассивного затвора максимальная средняя выходная мощность составила 315 мВт на длине волны 1522 нм c длительностью импульсов 5 нс и энергией 5,25 мкДж при частоте следования 60 кГц.

Diode-pumped passively Q-switched microchip Er,Yb:YAl3(BO3)4 laser for range-finding has been demonstrated. By using a Co2+:MgAl2O4 as a saturable absorber TEM00–mode Q-switched average output power of 315 mW was demonstrated at 1522 nm with pulse duration of 5 ns and pulse energy of 5,25 μJ at a repetition rate of 60 kHz.

лазермикрочипэрбийдальномерпассивная модуляция добротностиlasermicrochiperbiumrange finderpassively q-switchedReferencesFluck, R. Eyesafe pulsed microchip laser using semiconductor saturable absorber mirrors / R. Fluck, R. Haring, R. Pascotta [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 1998. – Vol. 72, № 25. – P. 3273–3275.Fluck, R. Eyesafe pulsed microchip laser using semiconductor saturable absorber mirrors / R. Fluck, R. Haring, R. Pascotta [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 1998. – Vol. 72, № 25. – P. 3273–3275.Thony, Ph. 1.55 μm passive Q-switched microchip laser / Ph. Thony, B. Ferrand, E. Molva // OSA Proceedings on Advanced Solid-State Lasers. – 998. – Vol. 19. – P. 150.Thony, Ph. 1.55 μm passive Q-switched microchip laser / Ph. Thony, B. Ferrand, E. Molva // OSA Proceedings on Advanced Solid-State Lasers. – 998. – Vol. 19. – P. 150.Kisel, V.E. Passive Q switches for a diode-pumped erbium glass laser / V.E. Kisel, V.G. Shcherbitskii [et al.] // Quantum Electronics – 2005. – Vol. 35, № 37. – P. 611–614.Kisel, V.E. Passive Q switches for a diode-pumped erbium glass laser / V.E. Kisel, V.G. Shcherbitskii [et al.] // Quantum Electronics – 2005. – Vol. 35, № 37. – P. 611–614.Georgiou, E. 1.65-μm Er,Yb:YAG diode-pumped laser delivering 80-mJ pulse energy / E. Georgiou [et al.] // Opt. Engineering – 2005. – Vol. 44, № 6. – P. 064202.Georgiou, E. 1.65-μm Er,Yb:YAG diode-pumped laser delivering 80-mJ pulse energy / E. Georgiou [et al.] // Opt. Engineering – 2005. – Vol. 44, № 6. – P. 064202.Hellstrom, J. Passive Q-switching at 1,54 μm of an Er,Yb: GdCa4O(BO3)3 laser with a Co2+:MgAl2O4 saturable absorber / J. Hellstrom, G. Karlsson, V. Pasiskevicius [et al.] // Appl. Phys. B. – 2005. – Vol. 81, № 1. – P. 49–52.Hellstrom, J. Passive Q-switching at 1,54 μm of an Er,Yb: GdCa4O(BO3)3 laser with a Co2+:MgAl2O4 saturable absorber / J. Hellstrom, G. Karlsson, V. Pasiskevicius [et al.] // Appl. Phys. B. – 2005. – Vol. 81, № 1. – P. 49–52.Tolstik, N.A. Spectroscopy, continuous-wave and Q-switched diode-pumped laser operation of Er,Yb:YVO4 crystal / N.A. Tolstik, A.E. Troshin, S.V. Kurilchik [et al.] // Appl. Phys. B. – 2007. – Vol. 86, № 2. – P. 275-278.Tolstik, N.A. Spectroscopy, continuous-wave and Q-switched diode-pumped laser operation of Er,Yb:YVO4 crystal / N.A. Tolstik, A.E. Troshin, S.V. Kurilchik [et al.] // Appl. Phys. B. – 2007. – Vol. 86, № 2. – P. 275-278.Tolstik, N.A. Er,Yb:YAl3(BO3)4-efficient 1.5 μm laser crystal / N.A. Tolstik, V. E. Kisel, N. V. Kuleshov [et al.] // Appl. Phys. B. – 2009. – Vol. 97. – P. 357–362.Tolstik, N.A. Er,Yb:YAl3(BO3)4-efficient 1.5 μm laser crystal / N.A. Tolstik, V. E. Kisel, N. V. Kuleshov [et al.] // Appl. Phys. B. – 2009. – Vol. 97. – P. 357–362.Tolstik, N.A. Excited state absorption, energy levels, and thermal conductivity of Er3+:YAB / N.A. Tolstik, G. Huber, V.V. Maltsev [et al.] // Appl. Phys. B. – 2008. – Vol. 92. – P. 567–571.Tolstik, N.A. Excited state absorption, energy levels, and thermal conductivity of Er3+:YAB / N.A. Tolstik, G. Huber, V.V. Maltsev [et al.] // Appl. Phys. B. – 2008. – Vol. 92. – P. 567–571.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.