STUDY OF SILICON-INSULATOR STRUCTURE DEFECTS BASED ON ANALYSIS OF A SPATIAL DISTRIBUTION OF A SEMICONDUCTOR WAFERS’ SURFACE POTENTIAL
Abstract
The matter of the study is application of contact potential difference and band bending visualization technique based on Kelvin–Ziesman technique to the non-destructive testing and defects study of a silicon-insulator structure. Experiments were held using a thermally oxidized boron-doped silicon wafer. Visualized defect distribution map is in a good agreement with a preliminary data on defectproducing factors. Results compared to ellipsometry data show that CPD visualization data is not influenced by presence and thickness of insulating layer.
About the Authors
R. I. Vorobey
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
O. K. Gusev
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
A. L. Zharin
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
A. N. Petlitsky
«Интеграл» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», г. Минск
Беларусь
Беларусь
V. A. Pilipenko
«Интеграл» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», г. Минск
Беларусь
Беларусь
A. S. Turtsevitch
«Интеграл» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», г. Минск
Беларусь
Беларусь
A. K. Tyavlovsky
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
K. L. Tyavlovsky
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
References
1. Емельянов, В.А. Системы качества в микроэлектронике / В.А. Емельянов. – Минск : Бел. наука, 1997. – 143 с.
2. Горлов, М. И. Технологические отбраковочные и диагностические испытания полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, Д. Л. Ануфриев. – Минск : Бел. наука, 2006. – 367 с.
3. Коледов, Л.А. Технология и конструкция микросхем, микропроцессоров и микросборок / Л.А. Коледов. – СПб. : Лань, 2009. – 400 с.
4. Белоус, А.И. Тестовые структуры в системах управления качеством интегральных микросхем / А.И. Белоус, А.В. Емельянов, Г.Г. Чигирь. – Минск : Интегралполиграф. 2008. – 208 с.
5. Shroeder, D.K. Contactless surface charge semiconductor characterization / D.K. Shroeder // Materials Science and Engineering. – 2002. – № 91–92. – P. 196–210.
6. Zisman, W.A. A new method of measuring contact potential differences in metals / W.A. Zisman // Review Of Scientific Instruments. – 1932. – V. 3. – P. 367.
7. Kronik, L. Surface photovoltage phenomena: theory, experiment, and applications / L. Kronik, Y. Shapira // Surface Science Reports. – 1999. – V. 37. – P. 1–206.
8. Wilson, M.S. New COCOS (Corona Oxide Characterization of Semiconductor) Method for Monitoring the Reliability of Thin Gate Oxides / M.S. Wilson [et al.] // Electrochemical Society Proceedings. – 1999. – V. 99–16. – P. 373–384.
Review
For citations:
Vorobey R.I., Gusev O.K., Zharin A.L., Petlitsky A.N., Pilipenko V.A., Turtsevitch A.S., Tyavlovsky A.K., Tyavlovsky K.L. STUDY OF SILICON-INSULATOR STRUCTURE DEFECTS BASED ON ANALYSIS OF A SPATIAL DISTRIBUTION OF A SEMICONDUCTOR WAFERS’ SURFACE POTENTIAL. Devices and Methods of Measurements. 2013;(2):67-72. (In Russ.)
Views:
1827
JATS XML
Email this article 