РАЗРАБОТКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР SI/SIO2/NI
Аннотация
На основе исследования гетероструктур Si/SiO2/Ni, полученных с использованием метода треков быстрых тяжелых ионов, представлены данные их электрических и магниторезистивных характеристик. Установлено наличие положительного магнитосопротивления, растущего с понижением температуры и достигающего при Т~25 К величины 600 %, что позволяет создать высокочувствительные сенсоры магнитного поля для аппаратуры космического применения, функционирующей при жидководородном охлаждении. Определены перспективы создания сенсоров с использованием чередующихся слоев из ферромагнитных и немагнитных металлов в нанопорах и показана возможность применения концепции «Управляемого электронного материала с порами в оксиде кремния».
Для цитирования:
Канюков Е.Ю., Демьянов С.Е. РАЗРАБОТКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР SI/SIO2/NI. Приборы и методы измерений. 2011;(1):10-16.
For citation:
Kaniukov E.Yu., Demyanov S.E. ENGINEERING OF LOW-TEMPERATURE MAGNETIC FIELD SENSORS BASED ON HETEROSTRUCTURES SI/SIO2/NI. Devices and Methods of Measurements. 2011;(1):10-16. (In Russ.)
Просмотров:
1852
Послать статью по эл. почте 