Адрес для переписки:Лапицкая В.А.– Институт тепло- и массообмена имени А.В. Лыкова НАН Беларуси,ул. П. Бровки, 15, г. Минск 220072, Беларусь e-mail: vasilinka.92@mail.ru
Address for correspondence:Lapitskaya V.A –A.V. Luikov Heat and Mass Transfer Institute of NAS of Belarus,P. Brovki str., 15, Minsk 220072, Belarus e-mail: vasilinka.92@mail.ru
ул. П. Бровки, 15, г. Минск 220072; пр-т Независимости, 65, г. Минск 220013
P. Brovki str, 15, Minsk 220072, Belarus; Nezavisimosty Ave., 65, Мinsk 220013, Belarus
пр. Независимости, 68-2, г. Минск 220072
ул. Казинца, 121А, г. Минск 220108
Kazinca str., 121А, Minsk 220108, Belarus
пр-т Независимости, 65, г. Минск 220013
Nezavisimosty Ave., 65, Мinsk 220013, Belarus
пр-т Независимости, 65, г. Минск 220013
Nezavisimosty Ave., 65, Мinsk 220013, Belarus
ул. Казинца, 121А, г. Минск 220108
Kazinca str., 121А, Minsk 220108, Belarus
Старовиленский тракт, 93, г. Минск 220053
Sarovilensky tract, 93, Minsk 220053, Belarus
ул. Сида, 92, г. Нанган, Харбин 150001, Китай
Xida str., 92, Nangang, Harbin 150001, China
Целью работы было исследование структуры и дефектности канального транзистора с двумя типами проводимости ( p и n), субмикроструктур на основе плёнок силицидов никеля, зародышевых слоёв на основе AlN с использованием атомно-силовой микроскопии (в том числе и проводящей или электросиловой методики, которая позволяет исследовать электрическую проводимость поверхности исследуемого материала) проведены. Установлено влияние технологии изготовления и формирования локального окисла на рельеф и структуру транзистора pи n-типа. Локальный окисел необходим для электрической изоляции транзисторов друг от друга. Шероховатость поверхности выше на поверхности и вне p-канального транзистора, чем на n-канальном транзисторе. При исследовании слоёв AlN как в режиме топографии, так и в режиме адгезии выявлены дефекты в виде пор, которые являются местами электрических пробоев, что ухудшает свойства таких гетероструктур. При росте температуры и времени азотирования дефектность слоёв AlN существенно снижается. С применением электросиловой микроскопии установлены проводящие участки на поверхности силицидов никеля после быстрой термической обработки при 300 и 400 °С, что показывает неполное образование силицида никеля в процессе обработки. Таким образом показана эффективность метода атомно-силовой микроскопии с применением специализированной проводящей методики как метода контроля компонентов микроэлектроники.
The aim of the work was to study the structure and defects of a channel transistor with two types of conductivity (p and n), the submicrostructures based on nickel silicide films, and the seed layers based on AlN using atomic force microscopy (including conductive or electric force method, which allow one to study the electrical conductivity of the material surface). The influence of the manufacturing technology and local oxide formation on the relief and structure of the pand n-type transistor was established. The local oxide is necessary for the electrical isolation of the transistors from each other. The surface roughness is higher on the surface and outside the p-channel transistor than on the n-channel transistor. When examining the AlN layers both in the topography mode and in the adhesion mode, defects in the form of pores were revealed, which are places of electrical breakdowns, which worsens the properties of the such heterostructures. With an increase in the temperature and time of nitriding, the defects of the AlN layers significantly decrease. The conductive areas on the surface of the nickel silicides after rapid thermal treatment at 300 and 400 °C using electric force microscopy were detected, which shows incomplete formation of nickel silicide during the treatment. Thus, the efficiency of the atomic force microscopy method using a specialized conductive technique as a method for monitoring microelectronic components was demonstrated.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.