<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">pimi</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Приборы и методы измерений</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Devices and Methods of Measurements</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2220-9506</issn><issn pub-type="epub">2414-0473</issn><publisher><publisher-name>BNTU</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">pimi-25</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Методы измерений, контроля, диагностики</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>Methods of measurements, monitoring, diagnostics</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>МОНИТОРИНГ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ГЕРМЕТИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>MONITORING OF IC ENCAPSULATION PROCESS</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Солодуха</surname><given-names>В. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Saladukha</surname><given-names>V. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">AKerentsev@integral.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Турцевич</surname><given-names>А. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Turtsevitch</surname><given-names>V. S.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">AKerentsev@integral.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Соловьев</surname><given-names>Я. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Solovjov</surname><given-names>J. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">AKerentsev@integral.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Рубцевич</surname><given-names>И. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Rubtsevitch</surname><given-names>I. I.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">AKerentsev@integral.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Керенцев</surname><given-names>А. Ф.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kerentsev</surname><given-names>A. F.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">AKerentsev@integral.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Довженко</surname><given-names>А. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Dovzhenko</surname><given-names>A. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">AKerentsev@integral.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Чирко</surname><given-names>И. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Chirko</surname><given-names>I. V.</given-names></name></name-alternatives><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>«ИНТЕГРАЛ», г. Минск</institution><country>Belarus</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2013</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>30</day><month>03</month><year>2015</year></pub-date><volume>0</volume><issue>1</issue><fpage>103</fpage><lpage>107</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Солодуха В.А., Турцевич А.С., Соловьев Я.А., Рубцевич И.И., Керенцев А.Ф., Довженко А.А., Чирко И.В., 2015</copyright-statement><copyright-year>2015</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Солодуха В.А., Турцевич А.С., Соловьев Я.А., Рубцевич И.И., Керенцев А.Ф., Довженко А.А., Чирко И.В.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Saladukha V.A., Turtsevitch V.S., Solovjov J.A., Rubtsevitch I.I., Kerentsev A.F., Dovzhenko A.A., Chirko I.V.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://pimi.bntu.by/jour/article/view/25">https://pimi.bntu.by/jour/article/view/25</self-uri><abstract><p>Высокая надежность интегральных схем специального назначения в металлокерамических корпусах на стадии производства достигается в результате минимизации содержания влаги в корпусе и постоянного измерения параметров среды герметизации. Показано, что использование приборов контроля режимов контактной сварки и приборов для комплексного измерения параметров атмосферы установки герметизации позволило осуществить постоянный мониторинг параметров технологического процесса – тока сварки, температуры, точки росы и относительной влажности инертной атмосферы. В результате мониторинга процесса шовно-роликовой сварки достигнуто увеличение выхода годных по герметичности более 99,0 % и снижение влаги в корпусах интегральных схем до 0,01–0,2 % объёмных.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>High reliability of ASICs in metal-ceramic packages at the stage of manufacturing is achieved as a result of minimization of moisture content inside the package and due to continuous measurements of parameters of the encapsulation environment. It is shown that the use of instruments for checking the conditions of contact welding and the instruments for complex measurements of parameters of the ambient environment of the encapsulation system has allowed to provide a continuous monitoring of the process parameters: welding current, temperature, dew point and relative humidity of an inert ambient environment. As the result of seam welding, increase of yield fitted in hermeticity over 99,0 % and decrease the moisture content inside the IC package to vol. 0,01–0,2 % has been reached.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>интегральная схема</kwd><kwd>влага</kwd><kwd>мониторинг</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>integrated circuits</kwd><kwd>moisture</kwd><kwd>monitoring</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Чернышов, А. А. Контроль влажности в корпусах интегральных микросхем / А. А. Чернышов, С. А. Крутоверцев, А. И. Бутурлин // Зарубежная электронная техника, 1987. – № 2. – С. 3–63.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Чернышов, А. А. Контроль влажности в корпусах интегральных микросхем / А. А. Чернышов, С. А. Крутоверцев, А. И. Бутурлин // Зарубежная электронная техника, 1987. – № 2. – С. 3–63.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Lowry Harsh environment and volatiles in sealed enclosures. SMT association international Technical conference. – October 2010. – Orlando., Fl., USA. – Р. 380–386.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Lowry Harsh environment and volatiles in sealed enclosures. SMT association international Technical conference. – October 2010. – Orlando., Fl., USA. – Р. 380–386.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">РД 11 14.5002-85 Типовой технологический процесс контактной шовной сварки.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">РД 11 14.5002-85 Типовой технологический процесс контактной шовной сварки.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Полуавтомат герметизации микросхем 03КС-700-2. Техническое описание и инструкция по эксплуатации М2.332.022 ТО, 1981.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Полуавтомат герметизации микросхем 03КС-700-2. Техническое описание и инструкция по эксплуатации М2.332.022 ТО, 1981.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Баринов, П.Е. Влияние способов герметизации и материалов внутренних элементов конструкции интегральных схем на состояние газовой среды в подкорпусном объеме / П.Е. Баринов, А.И. Андреев // Технологическое оборудование и материалы. – 1998. – № 5. – С. 32–34.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Баринов, П.Е. Влияние способов герметизации и материалов внутренних элементов конструкции интегральных схем на состояние газовой среды в подкорпусном объеме / П.Е. Баринов, А.И. Андреев // Технологическое оборудование и материалы. – 1998. – № 5. – С. 32–34.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">R. Tumalla, Rao. Microelectronics packaging handbook. Semiconductor packaging part. 2</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">R. Tumalla, Rao. Microelectronics packaging handbook. Semiconductor packaging part. 2</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Second Edition. / Rao R. Tumalla, Eugene G. Rymaszewski, Alan G. Klopfenstein. – Boston, London, Dordrecht. 1999. – 1030 рр.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Second Edition. / Rao R. Tumalla, Eugene G. Rymaszewski, Alan G. Klopfenstein. – Boston, London, Dordrecht. 1999. – 1030 рр.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
