pimiПриборы и методы измеренийDevices and Methods of Measurements2220-95062414-0473BNTUpimi-146Research ArticleМетоды измерений, контроля, диагностикиMethods of measurements, monitoring, diagnosticsАЛГОРИТМ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕТРОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ШИРОКОДИАПАЗОННЫХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С МНОГОЗАРЯДНЫМИ ПРИМЕСЯМИTHE IDENTIFICATION ALGORITHM OF METROLOGICAL CHARACTERISTICS OF WIDE-RANGE PHOTOVOLTAIC SEMICONDUCTOR CONVERTERS WITH MULTIPLY IMPURITIESГусевО. К.GusevO. K.minskhome@tut.byСвистунА. И.SvistunA. I.minskhome@tut.byШадурскаяЛ. И.ShadurskayaL. I.minskhome@tut.byЯржембицкаяН. В.YarjembitskayaN. V.minskhome@tut.byБелорусский национальный технический университетБеларусьBelarusian National Technical UniversityBelarus2011290420150299103Copyright © Гусев О.К., Свистун А.И., Шадурская Л.И., Яржембицкая Н.В., 20152015Гусев О.К., Свистун А.И., Шадурская Л.И., Яржембицкая Н.В.Gusev O.K., Svistun A.I., Shadurskaya L.I., Yarjembitskaya N.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://pimi.bntu.by/jour/article/view/146

Исследованы метрологические особенности фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) на основе полупроводников с многозарядными примесями в широком диапазоне плотностей мощности оптического излучения, обусловленные процессами нелинейной рекомбинации. Предложен алгоритм процедуры определения метрологических характеристик таких ФЭПП не только при малых плотностях мощности оптического излучения, но и при высоких, учитывающий границы области нелинейной рекомбинации. Проведена оценка погрешности определения метрологических характеристик ФЭПП на основе полупроводников с многозарядными примесями с учетом перехода в область нелинейной рекомбинации. 

Metrological features of photovoltaic semiconductor converters (PSC) based on semiconductors with the multiple-charge impurities are investigated in a wide range of power densities of optical radiation. The algorithm of the measurement procedure of the metrological characteristics of PSC is introduced not only at low densities of optical power, but at high, taking into account the boundary of nonlinear recombination. The estimation of accuracy of feature finding of the metrological characteristics PSC based on semiconductors with the multiple-charge impurities, is carried out, taking into consideration the area of nonlinear recombination. 

фотоэлектрические полупроводниковые преобразователиметрологические характеристикимногозарядные примесиphotovoltaic semiconductor convertersmetrological characteristicsmultiple-charge impuritiesReferencesАрутюнов, В.А. Перспективы разработок монолитных охлаждаемых матричных ИК-приборов для комплексированных многоспектральных систем обнаружения в диапазонах 1,5–5 и 8–12 мкм / В.А. Арутюнов [и др.] // Прикладная физика. – 2005. – Вып. 5. – С. 84–91.Арутюнов, В.А. Перспективы разработок монолитных охлаждаемых матричных ИК-приборов для комплексированных многоспектральных систем обнаружения в диапазонах 1,5–5 и 8–12 мкм / В.А. Арутюнов [и др.] // Прикладная физика. – 2005. – Вып. 5. – С. 84–91.Semiconductor and integrate optoelectronics. Conference, Cardiff 2005. – IEEE Proc. Optoelectron. 2006. – № 1. – 146 р.Semiconductor and integrate optoelectronics. Conference, Cardiff 2005. – IEEE Proc. Optoelectron. 2006. – № 1. – 146 р.Ермаков, О.Н. Прикладная оптоэлектроника / О.Н. Ермаков. – М. : Техносфера, 2004. – 416 с.Ермаков, О.Н. Прикладная оптоэлектроника / О.Н. Ермаков. – М. : Техносфера, 2004. – 416 с.Гусев, О.К. Моделирование метрологических характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с глубокими примесями / О.К. Гусев, Л.И. Шадурская, Н.В. Яржембицкая // Метрология и приборостроение. – 2008. – № 2. – С. 22–25.Гусев, О.К. Моделирование метрологических характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с глубокими примесями / О.К. Гусев, Л.И. Шадурская, Н.В. Яржембицкая // Метрология и приборостроение. – 2008. – № 2. – С. 22–25.Гусев, О.К. Влияние плотности мощности оптического излучения на динамические метрологические характеристики фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей с многозарядными примесями / О.К. Гусев [и др.] // Метрология и приборостроение. – 2009. – № 3. – С. 13–16.Гусев, О.К. Влияние плотности мощности оптического излучения на динамические метрологические характеристики фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей с многозарядными примесями / О.К. Гусев [и др.] // Метрология и приборостроение. – 2009. – № 3. – С. 13–16.Гусев, О.К. Проектирование и управление метрологическими характеристиками фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с многозарядными примесями / О.К. Гусев [и др.] // Датчики и системы. − 2011. – № 1. − С. 19−24.Гусев, О.К. Проектирование и управление метрологическими характеристиками фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с многозарядными примесями / О.К. Гусев [и др.] // Датчики и системы. − 2011. – № 1. − С. 19−24.ГОСТ 17772-88. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства.ГОСТ 17772-88. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.