Preview

Приборы и методы измерений

Расширенный поиск

РЕЖИМ САМОКАЛИБРОВКИ ЗОНДА КЕЛЬВИНА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Аннотация

Повышение воспроизводимости и достоверности результатов контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин зондовыми зарядочувствительными методами обеспечивается в работе за счет реализации режима самокалибровки зонда Кельвина, при котором в качестве образца для калибровки используется поверхность самой контролируемой пластины. Измерения выполняются в сканирующем режиме с визуализацией результатов контроля в виде цветной карты распределения контролируемого параметра. Методика измерений, основанная на использовании режима самокалибровки зонда Кельвина, реализована в конструкции измерительной установки, обеспечивающей бесконтактный неразрушающий контроль и визуализацию дефектов полупроводниковых пластин и определение их основных электрофизических параметров, таких как длина диффузии и время жизни неравновесных носителей заряда, плотность и энергетический спектр заряда на ловушках и некоторых других.

 

Об авторах

Р. И. Воробей
Белорусский национальный технический университет
Беларусь


О. К. Гусев
Белорусский национальный технический университет
Беларусь


А. Л. Жарин
Белорусский национальный технический университет
Беларусь


А. Н. Петлицкий
«Интеграл» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», г. Минск
Беларусь


В. А. Пилипенко
«Интеграл» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», г. Минск
Беларусь


А. С. Турцевич
«Интеграл» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», г. Минск
Беларусь


А. К. Тявловский
Белорусский национальный технический университет
Беларусь


Список литературы

1. Zharin, A.L. Contact Potential Difference Techniques as Probing Tools in Tribology and Surface Mapping // Applied Scanning Probe Methods. – 2010. – V. 14. – P. 687–720.

2. Ибрагимов, Х.И. Работа выхода электрона в физико-химических исследованиях / Х.И. Ибрагимов, В.А. Корольков. – М.: Интермет Инжиниринг, 2002. – 526 с.

3. Тявловский, А.К. Моделирование метрологических характеристик емкостных первичных преобразователей средств зондовой электрометрии / А.К. Тявловский, О.К. Гусев, А.Л. Жарин // Приборы и методы измерений. – 2011. – № 1(2). – С. 122–127.

4. Kim, J.S. Kelvin probe and ultraviolet photoemission measurements of indium tin oxide work function: a comparison / J.S. Kim [et al.] // Synthetic Metals. – 2000. – № 111–112. – Pр. 311– 314.

5. Kronik, L. Surface photovoltage phenomena: theory, experiment, and applications / L. Kronik, Y. Shapira // Surface Science Reports. – 1999. – V. 37. – P. 1–206.

6. Chiang, C. L. Measurement of the minoritycarrier diffusion length in thin semiconductor films / C. L. Chiang, R. Schwarz, D. E. Slobodin, J. Kolodzey, S. Wagner // IEEE Trans. Electron Devices. – 1986. – No. 33. – P. 1587–1592.

7. Воробей, Р.И. Контроль дефектов структуры кремний-диэлектрик на основе анализа пространственного распределения потенциала по поверхности полупроводниковых пластин / Р.И. Воробей [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2013. – № 2(7). – С. 67–72.


Рецензия

Для цитирования:


Воробей Р.И., Гусев О.К., Жарин А.Л., Петлицкий А.Н., Пилипенко В.А., Турцевич А.С., Тявловский А.К. РЕЖИМ САМОКАЛИБРОВКИ ЗОНДА КЕЛЬВИНА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН. Приборы и методы измерений. 2014;(2):46-52.

For citation:


Vorobey R.I., Gusev O.K., Zharin A.L., Petlitsky A.N., Pilipenko V.A., Turtsevitch A.S., Tyavlovsky A.K. KELVIN PROBE SELF-CALIBRATION MODE FOR SEMICONDUCTOR WAFERS PROPERTIES MONITORING. Devices and Methods of Measurements. 2014;(2):46-52. (In Russ.)

Просмотров: 2869


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2220-9506 (Print)
ISSN 2414-0473 (Online)