Preview

Приборы и методы измерений

Расширенный поиск

СПЕКТРАЛЬНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СПОНТАННОЙ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ЗЕЛЕНЫХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ

Аннотация

Изучены метрологические возможности специализированного измерительного комплекса, с помощью которого получены спектры электролюминесценции (ЭЛ) светоизлучающих диодов (СИД). Проведен анализ и исследованы формы спектров ЭЛ СИД с одиночной квантовой ямой на основе модели учитывающей проникновение в двухмерный активный слой InGaN электрического поля от прилегающих к нему барьерных слоев GaN и AlGaN. С помощью данной модели получены значения эффективной ширины запрещенной зоны, уровня Ферми, параметра экспоненциального хвоста плотности состояния.

Об авторах

Д. С. Бобученко
Белорусский национальный технический университет
Беларусь


Д. С. Доманевский
Белорусский национальный технический университет
Беларусь


И. А. Хорунжий
Белорусский национальный технический университет
Беларусь


Ю. С. Трофимов
Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий НАН Беларуси, Минск
Беларусь


В. И. Цвирко
Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий НАН Беларуси, Минск
Беларусь


Р. Д. Каканаков
Институт прикладной физики, Пловдив
Болгария


Список литературы

1. Нитриды галлия, индия, алюминия – структуры и приборы: тезисы докладов 7-ой Всерос. конф., Москва, 1-3 февраля 2010. / Физ. фак-т МГУ им. М.В. Ломоносова, Физ.-техн. ин-т. им. А.Ф. Иоффе РАН, РАН; под ред. А.В. Сахарова [и др.]. – СПб .: Политех. университет, 2010. – 256 с.

2. Заутер, Г. Фотометрия светодиодов / Г. Заутер, М. Линдеманн, А. Шперлинг, И. Оно // Светотехника. – 2004. – №3. – С. 5 – 13.

3. Доманевский, Д. С. Анализ формы низкоэнергетического фронта спектров электролюминесценции (ЭЛ) светодиодов с одиночной InGaN квантовой ямой /Д. С. Доманевский, В. А. Вилькоцкий, Ю. В. Трофимов, Б. Г. Арнаудов, Р. Д. Каканаков., С. А. Манего // Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы: тезисы докладов 5-ой Всерос. конф., Москва, 31 января–02 февраля 2007 г. / Физ. фак-т МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ.-техн. ин-т. им. А. Ф. Иоффе РАН, РАН; под ред. В. В. Лундина [и др.]. – СПб .: Политех. университет, 2007. – С. 87–88.

4. Доманевский, Д. С. Форма полосы излучения светоизлучающих диодов (СИД) с одиночной квантовой ямой (КЯ) InGaN / GaN между легированными барьерами / Д. С. Доманевский, Б. Г. Арнаудов, Д. С. Бобученко, Ю. В Трофимов, Р. Д. Каканаков // Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы: тезисы докладов 6-й Всерос. конф. Санкт-Петербург, 18-20 июня 2008 г. / С.-Петерб. политех. ун-т, Физ. фак-т МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ.-техн. ин-т. им. А. Ф. Иоффе РАН, РАН; под ред. А. В. Сахарова [и др.].– СПб.: Политех. университет, 2008. – С. 169– 170.

5. Доманевский, Д. С. Оптический контроль параметров полупроводников типа А3В5 / Д. С. Доманевский, В. А. Вилькоцкий, С. В. Жоховец, Г. Гобш, А. А. Герасимович, Б. Г. Арнаудов, Р. Д. Каканаков, .Ю. В. Трофимов // Высокие технологии в промышленности России: материалы XII Междунар. научно-техн. конф., Москва, 7–9 сентября 2006 г. – Москва : ЦНИТИ «Техномаш», 2006. – С. 427–433.

6. Питер, Ю. Основы физики полупроводников / Ю. Питер, М. Кардона. – М.: Физматлит, 2002. – 560 с.


Рецензия

Для цитирования:


Бобученко Д.С., Доманевский Д.С., Хорунжий И.А., Трофимов Ю.С., Цвирко В.И., Каканаков Р.Д. СПЕКТРАЛЬНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СПОНТАННОЙ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ЗЕЛЕНЫХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ. Приборы и методы измерений. 2010;(1):107-112.

For citation:


Bobuchenko D.S., Domanevskii D.S., Khorunzhii I.A., Trofimov Yu.V., Tsvirko V.I., Kakanakov R.D. SPECTRAL DISTRIBUTION OF SPONTANEOUS ELECTROLUMINESCENCE IN GREEN LIGHT EMITTING DIODES AT DIFFERENT EXCITATION LEVELS. Devices and Methods of Measurements. 2010;(1):107-112. (In Russ.)

Просмотров: 1677


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2220-9506 (Print)
ISSN 2414-0473 (Online)